TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA. 1º INGENIERÍA TÉCNICA

TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA.
1º INGENIERÍA TÉCNICA INDUSTRIAL.
HOJA DE PROBLEMAS Nº3.
1)Los valores medidos de un diodo, a una temperatura de unión de 25ºC
están dados por:
VD=0,5V a ID=5µA y
VD=0,6V a ID=100µA
Determinar :a)el coeficiente de emisión y b) la corriente de fuga Is.
2)La tensión umbral de un diodo de silicio es de 0,7V a 25ºC. Determinar la
tensión umbral a:a)Tj=100ºC ,b)T j=-100ºC.
3) La corriente de fuga de un diodo de silicio es 10-9A, a 25ºC, y el
coeficiente de emisión es n=2.La temperatura de unión de operación es
Tj=60ºC. Determinar la corriente de fuga a esta temperatura y la corriente
del diodo a una tensión de 0,8V.
4)Dado el circuito:
+
Vs=15V
250Ω
Vo
-
La característica en condiciones de polarización directa del diodo, que puede
obtenerse con una medición práctica o mediante las hojas de datos técnicos
del fabricante, está dada por la tabla siguiente:
iD(mA)
VD(V)
0
0,5
10
0,87
20
0,98
30
1,058
40
1,115
50
1,173
60
1,212
70
1,25
Determinar: El punto de trabajo en continua , la tensión umbral y la
resistencia del diodo del modelo DC lineal por secciones y la resistencia en
el modelo de pequeña señal. Suponer que el coeficiente de emisión es n=1 y
que VT =25,8mV.
5V
5) Determinar a que temperatura el
diodo de la figura empieza a
conducir.
10 kΩ
4.8 kΩ
Datos:
K = -2 mV/ºC
Vγ (25ºC) = 0.7 V
3V
6)Un diodo funciona en un punto Q de VD=0,7V e ID=1A.Los parámetros
del diodo son:P D=1W a Ta=50ºC y Preducción=6,67 mW/ºC,la temperatura
ambiental es de 25ºC, y la temperatura de unión máxima permisible es
200ºC . Calcular:La temperatura de la unión Tj , la disipación máxima
permisible en la unión y la disipación permisible a una temperatura
ambiental de 75ºC.
7) Suponiendo diodos ideales, determinar I1 i I2 si
(a) V1 = 0.2 V
(b) V1 = -9 V
+9V
2kΩ
I1
I2
3kΩ
+
_
V1
-1V
8)Calcular vD e iD en el circuito de la figura considerando el modelo ideal de
diodo.
6kΩ
3V
1,6kΩ
2kΩ
1mA
0,8k Ω
9)Calcular Vo en el circuito de la figura considerando el modelo con Vγ=0,7
V para los dos diodos.
1kΩ
D1
+
2kΩ
5V
Vo
0,9kΩ
2mA
D2
3kΩ
10)Calcular la tensión Vo en función de Vi en el circuito de la figura en los
dos casos siguientes:
a)Modelo ideal
b)Modelo lineal con Vγ y RD.
+
Vi
RL
Vo
-
11) En el circuito siguiente:
(a) Representar vo(vin) para
0 < vin < 20V
(b) Representar vo(t) si
vin = 20sin(ω t)
Datos: Vγ = 0V, V1 = 8V, V2 = 5V
R
+
v in
−
D1
D2
V1
V2
+
vo
−
12)Calcular la característica de transferencia del siguiente circuito
considerando los diodos como ideales.
D2
D1
+
Vi
100kΩ
200kΩ
Vo
25V
13) Para el circuito de la figura
(a) Determinar el punto de trabajo en
continua
(b) Sustituir el diodo por su modelo en
pequeña señal y determinar Vo(t) si va(t)
= 0.1 senω t V
Datos: nVT = 35 mV
Vγ = 0.7 V
100V
-
1kΩ
+
3kΩ
2kΩ
Vo
15 V
va
D
_
14) En el siguiente circuito, donde los diodos tienen una Vγ = 0.6V i rd = 10
Ω se pide (a) la representación de la función de transferencia Vo en función
de Vi, y (b) la representación de las corrientes que atraviesan los diodos D1 i
D2 en función de la tensión de entrada Vi.
D1
+
Vi
+
3kΩ
D2
Vo
1kΩ
-
15) Determinar y representar la
característica de transferencia. Dibujar
Vo(t) si Vi(t) es una señal senoidal de
10 V de pico.
Datos: R1 = 2kΩ R2 = R3 = 1kΩ
Vz = 5V Vγ = 0.7 V V1 = 10V
16)
Determinar
la
función
de
transferencia Vo(Vi).
Datos: R1 = R2 = R3 = 1kΩ, Vγ = 0V, Vz1
= 6V, Vz2 = 4V
Z
D
R2
+
+
R1
R3
Vi
V1
_
Vo
_
+
Vi
+
R1
Z2
R2
Z1
Vo
_
R3
_
17)El diodo de efecto túnel es un dispositivo que presenta una curva
característica i-v tal como la ilustrada en la figura. Para el circuito de la
derecha se pide:
(a) Determinar gráficamente el punto de trabajo en continua.
(b) Utilizar el análisis en pequeña señal para determinar vD(t) si va(t) = 10
sen ω t mV.
1.25
ID (mA)
1
R1
R2
0.75
0.5
V1
ID
+
VD
_
va
0.25
0
Datos:
.
0
0.1
0.2
0.3
VD (V)
0.4
0.5
0.6
V1 = 15 V, R1 = 20 kΩ, R2 = 1
kΩ