ESPEJO DE CORRIENTE CON MOSFET Hallar los valores de los

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ESPEJODECORRIENTECONMOSFET
Hallarlosvaloresdelosvoltajesycorrientesenelcircuito.
VGD=0<Vt=2Estánensaturación
EcuacionesenelcircuitoMOSFETdelaizquierdaIref=ID:
EcuacióndelacorrienteenelMOSFET.CálculodeID
ParaID=0,71mAtenemosVGS=0,65VmientrasqueparaID=0,4mA
tenemosVGS=4V.
LacorrienteID2esigualaIDyconstituyelafuentedecorrienteque
puedeutilizarseparapolarizarotrosamplificadores.
AMPLIFICADOREMISORCOMÚNCONRESISTENCIADEEMISOR,
POLARIZADOCONFUENTEDECORRIENTE
Paraelcircuito
mostradocalcular
elpuntode
operación
β=100
Vbe=0,7V
Puntodeoperación,sabiendoqueIE=3mA
IC=3mAIB=0,03mAVCE=5V
PREPARACIÓNDELAPRÁCTICA5
CARACTERÍSTICASDELMOSFET.AMPLIFICADORDRAINCOMÚN
ESPECIFICACIONESDELTRANSISTORMOSFETCANALNVN10K
Resistenciaenla
regióntriodo
ESPECIFICACIONESDELTRANSISTORMOSFETCANALNBS170
LOSPARÁMETROSDELMOSFET
Ensaturación:
EnlosmanualesapareceGFS"ForwardTransconductance":
Relaciónentrelavariabledesalida(ID)yladeentradaVGSparauna
corrienteIDespecífica.Estadefiniciónessimilaralgmpara
pequeñaseñal,aplicadaavaloresDC.ParaelMOSFETVN10K:
Paratrabajarconlasecuacionesdepolarizaciónsedefine:
UtilizandounadelasecuacionesparagmyaplicándolaaGFS
iD = K (VGS − Vth ) 2
(identificadatambién
comoGm):
€
1 W
K = k'
2 L
€
W
k' = 2K
L
€
W 2I D
gm = k'
L k' W
L
W 2I D
Gm = k'
L
W
k' = 2K
L
2I D
ID
= 2K €
= 2K
= 2 KI D
W
2K
K
k'
L
Conlosdatosdelejercicio:
mA
100
= 2 K 500mA
V
€
K=5
mA
V2
€
Gm = 2 KI D
€ iD = 5 mA (VGS − Vth ) 2
V2
CIRCUITOSPARALAPRÁCTICANº5
Característicasdesalidadel
MOSFETCANALN
Eltransistorsedibujacomoun
componenterealparaindicarqueno
espartedeunamplificador.
RG=1MΩ
RD=1kΩ
VoltajeVBB=De0a2V
Generador:Vmax=3VVoffset=3V
f=1kHz
ParacadavalordeVGGseobservaunasolacurvadeIDvs.VDS.
HayqueinvertirelcanalXparaverlascurvasconlaorientación
adecuada.
Enlapantalladelosciloscopio
ParamedirrdsydeterminarelvalordeVA.
Curvaenpantalla:Seseleccionaunpardepuntossobrelacurvayse
determinalapendientedelamisma.Elinversoeslaresistenciaro.
ConlapendienteyVDSsecalculaVA.
ro
=
VDS2 − VDS1
I D2 − I D1
CaracterísticasdetransferenciadelMOSFET
RG=1MΩ
RD=1kΩ
RS=510Ω
VoltajeVDD=De0a2V
Generador:Vmax=3VVoffset=3V
f=1kHz
Lafiguraeslacurvacaracterísticade
transferenciadelMOSFET.
HayqueinvertirelcanalXparaverlascurvasconlaorientación
adecuada.
ParamedirgmyVtenlacaracterísticadetransferencia
Vtsemidedeterminandoel
voltajeenelquelacurva
comienzaacrecer.
Paramedirgm
Seescogeunpuntoenelquese
mideID1yVGS1
Seescogeunotropuntoenel
quesemideID2yVGS2
Elparámetrogmes
gm
I D2 − I D1
=
VGS2 − VGS1
AMPLIFICADORDRAINCOMÚN
TransistorBS170
VDD=12V
R1=1MΩ
R2=2MΩ
RS=1kΩ
RL=1kΩ
Cgen=100nF
CL=22µF
Vt≈2V
gFS=320mS@200mA
CÁLCULOSINICIALES
K=128
ValoresdeID=6,22mAy5,79mA
VGSválido:2,24V
ENELLABORATORIO
POLARIZACIÓNDELTRANSISTOR
EnprimerlugarsemontasoloelcircuitoDC.
*Sedeterminaelpuntodeoperación
midiendoconelmultímetro:
VGS:Probarhaciendounamedicióndirectay
luegounaindirectaVG-VS
VDS
ID=VD/RD
*Solocuandoelpuntodeoperación
seencuentreenunrangocercanoalos
valoresdeseados,sepuedecontinuarcon
elestudioenAC.
ELDRAINCOMÚNCOMOAMPLIFICADOR
*SeenciendelafuenteDC
*Seaplicaelvoltajedesalidadel
generador,atravésdeundivisor
devoltajeconunpotenciómetro
siesnecesarioparaobtenerlas
amplitudesdeseadas
*SeseleccionaelVimaxdeforma
quenohayadistorsiónala
salida
*SeaumentaVimaxhastaproducir
distorsiónalasalida.
*Seregistranvariasformasde
ondadelaentradaconlasalida.
MEDICIÓNDELAGANANCIADEVOLTAJE
Gananciadevoltaje:
SemideelvoltajeAC
sobrelacargayelvoltaje
ACaplicadoalGate
AV=Vo/Vi
MEDICIÓN DE LA RESISTENCIA DE SALIDA
* Se aplica un voltaje de entrada que produzca una salida de 3 o 4 Vpp y se
mide cuidadosamente el voltaje de salida V01.
* Se coloca una resistencia de carga de 1K y se mide cuidadosamente el
voltaje de salida V02.
*Con esos datos se puede plantear el circuito mostrado y determinar el valor
de Ro.
RESPUESTAENFRECUENCIA
*SeenciendelafuenteDC
*Manteniendoelvoltajede
salidadelgenerador
constanteyasegurándose
queelamplificadorno
entreensaturación,sehace
unbarridodefrecuenciay
setomanlas
correspondientes
medicionesalasalida,parapoderrealizarundiagramadeamplitudvs.
frecuenciayotrodedesfasajevs.frecuencia,enunrangocomparable
conelqueserealizólasimulación.
*NOTA:Cuandoenlapreparaciónobtengalarespuestaenfrecuencia
delamplificadorbajoestudio,seleccionequeelejeverticalestéendB,e
identifiquelafrecuenciadecorteinferiorylafrecuenciadecorte
superior.
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