transistores bipolares de unión y polarización de dc para bjt

UNIVERSIDAD DE ESPECIALIDADES ESPÍRITU SANTO
FACULTAD DE SISTEMAS, TELECOMUNICACIONES Y ELECTRÓNICA.
PROGRAMA ANALÍTICO (SUBJECT DESCRIPTION)
MATERIA: ELECTRÓNICA I
CRÉDITOS: 3
CÓDIGO:
PERIODO LECTIVO: SEPTIEMBRE- DICIEMBRE del 2007
PRE-REQUISITO:
1.
DESCRIPCIÓN SINTÉTICA (Course Description)
Brinda a los estudiantes las herramientas teóricas y practicas (software de aplicación) para el diseño de circuitos utilizando diodos en
redes de dc y en ac así como la utilización de transistores bipolares (BJT) y de transistores (FET)que son ampliamente usados en
circuitos electrónicos utilizados en la industria. También se realizara el análisis de los mismos en cd para verificar su correcto
funcionamiento y se analizara el modelo equivalente en análisis ac para el diseño de circuitos amplificadores de una sola etapa en el cual
se tratara de ver la amplificación de pequeñas señales..
Para lograr estos objetivos en el curso se presentan el concepto de los diodos su estructura interna y la polarización en cd para ver el
punto de operación de los mismos y la utilización en los rectificadores de oda completa. Así mismo se analizara la operación de los
transistores BJT y FET para conectarlos en circuitos de una sola etapa y poder obtener los diferentes puntos de operación de acuerdo a
la configuración utilizada. Por ultimo se analizara los mismo en ac utilizando su modelo equivalente para observar la amplificación de
señales pequeñas circuitos que son muy útiles para amplificación de señales de audio según las especificaciones dadas.
2.
OBJETIVOS (Course Objectives – Goal))
3. OBJETIVOS GENERALES

Proporcionar una visión global de los elementos electrónicos como diodos y transistores BJT y FET junto con una visión somera del
estado de desarrollo actual de esta tecnología
4. OBJETIVOS ESPECIFICOS
 Conocer las características especiales (eléctricas y físicas) de los diodos, transistores, y fets

Analizar circuitos electrónicos elementales donde se usan estos elementos..

Poder diseñar circuitos sencillos usando diodos, transistores, y fets

Conocer los elementos necesarios para polarizar en forma adecuada los elementos mencionados para lograr un funcionamiento
óptimo en los circuitos.

Poder resolver con el mismo grado de dificultad de los problemas resueltos en clase y de los enviados como deber.
3. CONTENIDOS PROGRAMÁTICOS (Course Text )
CAPÍTULO 1 (Chapter 1).
DIODOS SEMICONDUCTORES y SUS APLICACIONES
1.1 Diodo ideal
1.2 Materiales semiconductores
1.2.1Diodos semiconductor y niveles de resistencias
1.3 Hoja de especificación del diodo y tipos de diodos
1.4 Análisis de los diodos por medio de la recta de carga
1.4.1 Aproximaciones de los diodos
1.4.2 Configuraciones de los diodos con entradas de dc
1.5 Entradas senoidales en los diodos:
1.5.1 rectificador de media onda.
1.5.2 rectificador de onda completa
1.6 Recortadores
1.7 Cambiadores de nivel
1.8 Diodo tener
1.9 Circuitos multiplicadores de voltaje.
CAPÍTULO 2 (Chapter 2)
TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIÓN Y POLARIZACIÓN DE DC PARA BJT
2.1. Introducción
2.1.1. Construcción del transistor
2.1.2. Operación del transistor
2.2. Configuración de base común
2.2.1 Acción amplificadora del transistor
2.3. Configuración de emisor común
2.4. Configuración de colector común.
2.5. Limites de operación
2.5.1 Hoja de especificación del transistor
2.6. Polarización de DC para los BJT: punto de operación
2.7. Circuito de polarización fija
2.8. Circuito de polarización estabilizado en emisor.
2.9. Polarización de los BJT por divisor de voltaje
2.10. Polarización de DC con retroalimentación de voltaje
2.11. Diversas configuraciones de polarización.
2.12. Operaciones de diseño con transistores
2.13. Redes de conmutación con transistores
CAPÍTULO 3 (Chapter 3)
TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO Y POLARIZACIÓN DEL FET
3.1. Construcción y características de los JFET
3.1.1. Característica de transferencia
3.1.2. MOSFET de tipo decremental
3.1.3. MOSFET de tipo incremental
3.2.
Polarización.
3.2.1. líneas de carga y amplificadores del JFET
3.3.
Métodos de polarización del FET
3.4.
Redes combinadas
CAPÍTULO 4 (Chapter 4).
MODELAJE DE TRANSISTORES BIPOLARES
4.1.
Amplificación en el dominio AC
4.2.
Impedancia de Entrada
4.3.
Impedancia de salida
4.4.
Ganancia de voltaje
4.5.
Ganancia de corriente
4.6.
El modelo re del transistor
4.6.1. Configuración de emisor común
4.6.2. Configuración de base común
CAPÍTULO 5 (Chapter 5)
ANÁLISIS A PEQUEÑA SEÑAL DEL TRANSISTOR BIPOLAR Y FET
5.1. Configuración de Polarizacion fija con emisor común
5.2. Polarizacion por divisor de voltaje
5.3. Configuración de Polarización en emisor para emisor común:
5.7.1. sin desvió.
5.7.2. con desvió
5.4. Configuración de emisor seguidor
5.5. Configuración de base común
5.6. Configuración de retroalimentación de colector
5.7.Modelo de Pequeña señal para el JFET
5.7.1. Configuración de polarizacion fija para el JFET
5.7.2. Configuración de autopolarizacion para el JFET
5.7.3. Configuración de divisor de voltaje para el JFET
5.8. Mosfet de tipo incremental
5.9. Mosfet de tipo decremental
4. METODOLOGÍA (Methodology)
 El dictado estará regido por el programa de estudio de la materia siguiendo el cronograma establecido, por lo cual el dictado de la
materia se dará por terminado sólo si el material ha sido cubierto en su totalidad.
 La nota de evaluación en la materia deberá distribuirse de la siguiente manera: 50% el examen y el 50% restante correspondiente a
lecciones, deberes, trabajos en clases.
 Es obligación del profesor entregar por escrito al estudiante las políticas de la materia, el cual contiene su ponderación y distribución
del puntaje, fecha de exámenes y reglamentos concernientes al Sistema de Evaluaciones, Asistencia a Clases y Disciplina.
NOTA:
 Los estudiantes deben adelantar la lectura comprensiva de los contenidos programados para cada sesión. Así la elaboración del
conocimiento en la clase resultará rápida, consistente, significativa y gratificante.
 Los deberes y trabajos no entregados en la fecha señalada serán sancionados hasta con el 30% de la nota.
5. EVALUACION (Evaluation / Assessment)




Actuación individual
Elaboración de ejercicios
Comprensión de lectura
Trabajos de investigación
25 pts.
25 pts.
25 pts.
25 pts

Evaluación Parcial
100 pts.
.
6. Bibliografía Referencial (Bibliographic Reference)
1. Texto: Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos de Boylestad Nashelsky 8 edición Prentice Hall
2. Apuntes personales
BIBLIOGRAFIA COMPLEMENTARIA (Bibliography Complementary)
1. Principios de electrónica por Malvino 10 edición Prentice Hall.
2. ELECTRONICA Hambley Editorial Prentice Hall
3. Amplificadores operacionales y circuitos integrados lineales de Frederick F. Driscoll 5 edición Prentice Hall
DATOS DEL PROFESOR (Teacher´s Resume)
NOMBRE:
TITULO DE PREGRADO:
TITULOS DE POSTGRADO:
E-Mail:
Marcos Tobar Moran
Ingeniero Eléctrico especialización Electrónica
(por obtenerla)
[email protected]