Relación de Problemas de polarización 1. Dado el circuito de la figura ,calcular el punto de trabajo de ambos transistores Datos(β=100,Vbe,on=Veb,on=0.6V,Vd,on=0.6) 0 V1 20V R1 3Meg C1 Q1 Q2 1n R3 2 1 C2 Vent D1 D2 300 2 10k 1 R2 R4 1N4500 10k V3 V2 2V 2V 0 2. Calcular las tensiones en los nodos del siguiente circuito.(β=200,Vbe=0.6 V) V1 15V R1 R5 100 500 Q1 Q2 PN2222 PN2222 R2 R4 50 100 R3 500 3. Calcular los valores de resistencias desconocidas para que los transistores de los siguientes circuitos se polaricen con (Vce=5v y Ic=1mA).(β=50, Vbe=0.7 V). Calcular para los valores de resistencia obtenidos el punto de trabajo de los transistores cuando β varía entre 75 y 25. (R1//R2=5kΩ, Re=500Ω) V1 V1 V1 10V 10V 10V Rc Rc Rc Rb Q1 R1 Q1 Rb Q1 R2 Re 4. Dado el circuito de la figura. Calcular el punto de trabajo de ambos transistores. Datos (M1: βn=20mA/V2, VT=-2V, Q2: β=150, Vbe,on = 0.7V, Vce,sat = 0.2 V) 15V Rd Rc 620 Rb1 C3 4.7k 78k C1 Q1 M1 700n 6u RL Ve 10k 150n Rg 16.4k Rb2 C2 1Meg 22k Rs 200 90u Re 90u C4 1.6k <------------------ Rg C5 Vs 0 5. Dado el circuito de la figura. Calcular el punto de trabajo de todos los transistores. Datos: M1: βn=20mA/V2, VT=-2V; Q2: β=150 ,Veb,on=0.7V, Vec,sat=0.2V; Q3: β=80, Vbe,on=0.7V, Vce,sat=0.2V 15V Re2 Rd 1.6k 620 Q2 Ve Rg C1 10k 1µ C4 100µ Q3 M1 C3 Rc2 R1 1Meg 4.7k C2 Rs 200 100µ 0 1µ Rl Re3 250 Vs 3.3k 0 6. Calcular el punto de trabajo (β=100, Vbe,on=0.7V). V1=10V R1=400KΩ Rc=5KΩ C1=1µF Ve Vs R2=400KΩ C2=1µF Re=2KΩ 7. Dado el circuito de la figura. Calcular el punto de trabajo de todos los transistores. Datos: M1=M2: βn=2mA/V2, VT=1V; Q1: β=100 ,Vbe,on=0.7V, Vce,sat=0.2V 10V Rc 1k C2 R1 10k 1u Rl C1 Ve 10k Q1 1u R2 0 10k 10V 0 R 10k M1 M2 0 Vs 8. Calcular en el circuito de la figura la tensión de salida en los siguientes casos: a. Ve=0V. b. Ve=8V. 8V M2 10V R1 1k M1 Vs Ve M3 Id1 R2 1k 0 (Datos: β=1mA/V2, VTn=1V, VTp=-1V.) 9. En el siguiente circuito encontrar la tensión en Vo y las corrientes Ic1, Im1 e Im2. Suponer los transistores bipoles en activa y los MOS en saturación. Datos: (Q: Vbe,on=0.7V,β=∞; M: βM2= βM1=3.2mA/V2, VT1,2=1V, Vdon=0.7V) R1 23k 6V R4 5k Q2 Q1 R2 6k V1 Ic1 Ir1 Vo 3.8V Q3 Im1 R3 2.5k D1 Im2 M2 M1 -6V 10. En el circuito de la figura todos los transistores están conduciendo y en W W W particular Q2 se encuentra saturado. Suponiendo que = = L 1 L 2 L 3 W encontrar el valor o rango de valores de del transistor 4 para los que M1 L 4 esté saturado. Datos (Vt de todos los transistores es igual). (Todos los transistores han sido realizados con el mismo proceso tecnológico VDD M3 M1 Vx M4 M2 I1 R I1 0