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Relación de Problemas de polarización
1. Dado el circuito de la figura ,calcular el punto de trabajo de ambos transistores
Datos(β=100,Vbe,on=Veb,on=0.6V,Vd,on=0.6)
0
V1
20V
R1
3Meg
C1
Q1
Q2
1n
R3
2
1
C2
Vent
D1
D2
300
2
10k
1
R2
R4
1N4500
10k
V3
V2
2V
2V
0
2. Calcular las tensiones en los nodos del siguiente circuito.(β=200,Vbe=0.6 V)
V1
15V
R1
R5
100
500
Q1
Q2
PN2222
PN2222
R2
R4
50
100
R3
500
3. Calcular los valores de resistencias desconocidas para que los transistores de los
siguientes circuitos se polaricen con (Vce=5v y Ic=1mA).(β=50, Vbe=0.7 V).
Calcular para los valores de resistencia obtenidos el punto de trabajo de los
transistores cuando β varía entre 75 y 25. (R1//R2=5kΩ, Re=500Ω)
V1
V1
V1
10V
10V
10V
Rc
Rc
Rc
Rb
Q1
R1
Q1
Rb
Q1
R2
Re
4. Dado el circuito de la figura. Calcular el punto de trabajo de ambos transistores.
Datos (M1: βn=20mA/V2, VT=-2V, Q2: β=150, Vbe,on = 0.7V, Vce,sat = 0.2 V)
15V
Rd
Rc
620
Rb1
C3
4.7k
78k
C1
Q1
M1
700n
6u
RL
Ve
10k
150n
Rg
16.4k
Rb2
C2
1Meg
22k
Rs
200
90u
Re
90u
C4
1.6k
<------------------
Rg
C5
Vs
0
5. Dado el circuito de la figura. Calcular el punto de trabajo de todos los
transistores. Datos: M1: βn=20mA/V2, VT=-2V; Q2: β=150 ,Veb,on=0.7V,
Vec,sat=0.2V; Q3: β=80, Vbe,on=0.7V, Vce,sat=0.2V
15V
Re2
Rd
1.6k
620
Q2
Ve
Rg
C1
10k
1µ
C4
100µ
Q3
M1
C3
Rc2
R1
1Meg
4.7k
C2
Rs
200
100µ
0
1µ
Rl
Re3
250
Vs
3.3k
0
6. Calcular el punto de trabajo (β=100, Vbe,on=0.7V).
V1=10V
R1=400KΩ
Rc=5KΩ
C1=1µF
Ve
Vs
R2=400KΩ
C2=1µF
Re=2KΩ
7. Dado el circuito de la figura. Calcular el punto de trabajo de todos los
transistores.
Datos: M1=M2: βn=2mA/V2, VT=1V; Q1: β=100 ,Vbe,on=0.7V, Vce,sat=0.2V
10V
Rc
1k C2
R1
10k
1u
Rl
C1
Ve
10k
Q1
1u
R2
0
10k
10V
0
R
10k
M1
M2
0
Vs
8. Calcular en el circuito de la figura la tensión de salida en los siguientes casos:
a. Ve=0V.
b. Ve=8V.
8V
M2
10V
R1
1k
M1
Vs
Ve
M3
Id1
R2
1k
0
(Datos: β=1mA/V2, VTn=1V, VTp=-1V.)
9. En el siguiente circuito encontrar la tensión en Vo y las corrientes Ic1, Im1 e
Im2. Suponer los transistores bipoles en activa y los MOS en saturación. Datos:
(Q: Vbe,on=0.7V,β=∞; M: βM2= βM1=3.2mA/V2, VT1,2=1V, Vdon=0.7V)
R1
23k
6V
R4
5k
Q2
Q1
R2
6k
V1
Ic1
Ir1
Vo
3.8V
Q3
Im1
R3
2.5k
D1
Im2
M2
M1
-6V
10. En el circuito de la figura todos los transistores están conduciendo y en
W  W  W 
particular Q2 se encuentra saturado. Suponiendo que   =   =  
 L 1  L 2  L 3
W 
encontrar el valor o rango de valores de   del transistor 4 para los que M1
 L 4
esté saturado. Datos (Vt de todos los transistores es igual). (Todos los
transistores han sido realizados con el mismo proceso tecnológico
VDD
M3
M1
Vx
M4
M2
I1
R
I1
0
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