Tecnologías de C. I.

Tecnología MOS y CMOS
Tecnologías de C. I.

Utilizada en la mayoría de los
C. I. actuales

Mario Medina C.
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Símbolo
Basada en transistores de efecto
de campo MOSFET (MetalOxide-Semiconductor FieldEffect Transistor)
PMOS: canal positivo
NMOS: canal negativo
 CMOS: combina NMOS y PMOS


Transistores NMOS y PMOS

Canal negativo (NMOS)




Voltaje positivo VDS
Conducción si voltaje
positivo VGS > umbral
Usa lógica positiva
Canal positivo (PMOS)



Voltaje negativo VDS
Conducción si voltaje
negativo VGS < umbral
Usa lógica negativa
Inversor MOS




Transistor de carga

Resistencia en circuito
anterior es reemplazada por
otro transistor controlado
por voltaje VGG

Si Vin es 0, Vout es cercana a
alimentación VDD
Si Vin n es 1, Vout es 0
VDD ,Vin y Vout son escogidos
de acuerdo a tecnología MOS
utilizada
Entonces, circuito actúa
como un interruptor
controlado por Vin
Compuerta NOR con MOS

Usa dos transistores MOS en paralelo

F será 1 sólo si A y B son 0
Geometría del transistor y
VGG son escogidos para
tener resistencia alta
©Mario Medina C.
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Compuerta NAND con MOS

Usa dos transistores MOS en serie

F será 1 si A ó B son 0
Compuerta EXOR con MOS


Usa 4 transistores MOS
F será 0 si AB es 1 ó si
A’B’es 1


Inversor CMOS
F’ = AB + A’B’, es decir,
F = AB’ + A’B
Inversor CMOS
CMOS: Complementary Metal-Oxide
Semiconductor
 Utiliza transistores PMOS y NMOS




Si Vin es 0, Q1 conduce y Q2 no conduce
Si Vin es 1, Q1 no conduce y Q2 conduce
Bajo consumo de potencia


Sólo durante transiciones de estado
Elimina transistor de carga
Compuerta NAND CMOS
Entrada Gate activa baja
indica transistor PMOS
©Mario Medina C.
Compuerta NOR CMOS
Ejercicio: verificar
operación de la
compuerta mediante una
tabla de verdad
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Características eléctricas de
familia TTL

Fabricante especifica
valores de voltaje
reconocidos como 0 ó
1 lógico para señales
de entrada y salida

Capacidad de Carga (Fan-Out)



Corrientes máximas de entrada y salida

Número máximo de compuertas que pueden ser
conectadas a la salida de una compuerta sin superar la
capacidad de corriente de ésta.
Compuertas TTL 54/74 están diseñadas para un Fanout de 10, es decir, pueden manejar adecuadamente
10 cargas típicas TTL


Todo dispositivo que se conecta a la salida de
otro inyecta o extrae corriente al primero
 IOH = Corriente de salida en alto (-400 A máximo)
 IOL = Corriente de salida en bajo (16 mA máximo)
Voltaje entre los rangos
dados no es reconocido
como un estado lógico
definido
Características eléctricas de
familia TTL

Características eléctricas de
familia TTL
 IIH
 IIL
= Corriente de entrada en alto (40 A máximo)
= Corriente de entrada en bajo (-1.6 mA máximo)
Características eléctricas de
familia TTL

Manejo de Entradas Abiertas y No Usadas

En TTL, entradas abiertas (no usadas) actúan
como un 1 lógico


Susceptibles a ruido
Resistencias de Pull-Up y Pull-Down
Compuerta en 0 puede alimentar a 10 compuertas TTL
sin que VOL sea mayor que 0.4 V
Compuerta en 1 puede alimentar a 10 compuertas TTL
sin que VOH sea menor de 2.4 V
©Mario Medina C.
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