REFLEXION DE IMPEDANCIAS EN EL JFET En el BJT cuando se reflejaba el circuito de emisor en el circuito de base, las impedancias del circuito de base quedaban divididas por (hfe +1) y las corrientes asociadas quedaban multiplicadas por (hfe +1). Cuando se reflejaba el circuito de base en el circuito de emisor, todas las impedancias quedaban multiplicadas por (hfe +1) y las corrientes respectivas quedaban divididas por (hfe +1). En el JFET la regla para reflejas las impedancias es tal que las tensiones existentes en el circuito de DREN pueden ser reflejados en el circuito de SOURCE dividiendo las impedancias y las tensiones por (μ +1). De igual forma, las impedancias y las corrientes existentes en el circuito de SOURCE pueden ser reflejadas en el circuito de DREN, multiplicando por (μ +1). La técnica de reflexión de impedancias se explica en el siguiente circuito: En el siguiente circuito se han omitido los componentes de polarización. Las fuentes de voltaje v1, v2 y v3 se ha indicado para representar todas las posibles entradas de señal al dispositivo. VDD - v3 + RD vO1 vO2 + RS v1 + - v2 - A continuación dibujaremos el circuito equivalente de CA, seguido por su circuito equivalente de señal pequeña: Circuito equivalente de c.a. Circuito de señal pequeña G vO1 vO2 + v1 - id RD + RS + v2 - v3 - D gmvgs + v1 - rds S RS + v2 - vO1 id vO2 RD + v3 - ahora transformaremos la fuente de corriente en fuente de voltaje D G µvgs + v1 rds + id S - vO1 RS + v2 vO2 RD + v3 - - en donde gmrds para encontrar la corriente en la malla de salida, basta aplicar la Ley de Voltajes de Kirchhoff L.V.K. en malla de D: v2 RS id vgs rdsid R D id v3 0 vgs v2 v3 id RS rds R D 0 vgs v2 v3 id RS rds R D Ec. (*) Para eliminar vgs, lo encontramos en la malla de G. y luego lo sustituimos en la ecuación Error! Reference source not found.. Para encontrar vgs aplicamos L.V.K. en malla de G: v1 vgs RS id v2 0 vgs v1 v2 RS id Sustituyendo en la Ec. (*): id v1 v2 RS id v2 v3 RS rds R D Despejando para id: id RS rds RD RS v1 v2 v2 v3 id 1 RS rds RD v1 1 v2 v3 id v1 1 v2 v3 1 RS rds RD Ec. (1) La ecuación (1) puede representarse mediante el siguiente circuito: (µ+1)Rs rds D vO1 - µv1 RD id + + + v3 (µ+1)v2 - - A este circuito se le conoce como circuito de Source reflejado en Dren. Dividiendo el numerador y denominador de la ecuación (1) por 1 : v3 1 1 id rds RD RS 1 v1 v2 esta ecuación puede representarse por el siguiente circuito: RD + v1 1 1 rds 1 1 1 + 1 - vO2 RS - 1 v3 S id + v2 - A este circuito se le conoce como circuito de Dren reflejado en Source. EJEMPLO PARA APLICAR EL CONCEPTO DE REFLEXION DE IMPEDANCIAS EN LOS AMPLIFICADORES CON JFET Ejercicio: Obtenga la ganancia de voltaje Av y la impedancia de salida ZO del siguiente amplifcador en Fuente Común. Datos: +VDD VDD = 12 V R1 = 120 KΩ R2 = 600 KΩ RD = 3 KΩ RS = 3 KΩ RL = 3.9 KΩ R2 RD rs = 50 Ω Ci→ ∞ CO→ ∞ rS JFET: IDSS = 2.6 mA rds = 80 KΩ RL vS R1 RS VGSOff = - 2.8 V Resultados (análisis convencional): IDQ = 1 mA VGSQ = - 1 V VDSQ = 6 V gm = 1.19 mS CS Simplificando el circuito a equivalente de CA rS vS RD RG donde: RG R1 R2 , RL RL ' RD RL Simplificando la malla de compuerta y de dren mediante el Teorema de Thévenin VDD - v3 + r S’ RD RL’ vS’ relacionando con + v1 - vO2 RS + v2 - Donde rs ' rs RG , vO1 vs ' RG vs RG rs Ahora relacionaremos este circuito con el circuito inicial (circuito del lado derecho). Relacionando ambos circuitos tenemos: RD RL ' R’L hace la funciones de la RD del circuito original RS 0 RS no existe en el circuito original v1 vS ' v’S hace la funcion de la fuente v1 v2 0 v3 0 v2 y v3 en el circuito original no existe Para encontrar AV vL y ZO , utilizamos el circuito de Source reflejado en Drain debido a que vS este circuito permite relacionar las variables como son vL y v’S asi como zO rds D - + µvS’ RD + RL vL - ZO AV v L v L vS ' vS vS ' vS vL RL ' vS ' RL ' rds vS ' RG vS RG rS AV RG RL ' = – 92.428 RL ' rS RG rS Indirectamente podemos obtener la ganancia de corriente AI a partir de AV: AI Z r iL AV i s = 2371.14 iS RL La impedancia zO se puede observar fácilmente del “circuito fórmula”. ZO RD rds = 2,891.56 Ω