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VERSION 1
1. (0'3 puntos) Los portadores de carga positivos (huecos) en un diodo de unión sin polarizar
son portadores mayoritarios que están en:
a) La zona de vaciamiento o de carga espacial de la unión.
b) La zona n de la unión.
c) La zona n de la unión si el diodo es LED.
d) En la zona p de la unión.
2. (0'3 puntos) Al aplicar tensión externa a una unión n-p, la anchura de su zona de carga
espacial (zona de deplexión o vaciamiento):
a) Aumentará si la polarización es directa.
b) Aumentará si la polarización es inversa.
c) Aumentará en ambos casos porque no depende del signo de la tensión aplicada.
d) Disminuirá en ambos casos porque no depende del signo de la tensión aplicada.
3. (0'3 puntos) Si un transistor con cierta corriente de polarización de base IB funciona en la
parte central de la recta de carga, un aumento de su ganancia de corriente (βdc) hará que el
punto Q:
a) Se mueva por la recta de carga hacia la zona de saturación del BJT.
b) Se mueva por la recta de carga hacia la zona de corte del BJT.
c) La recta de carga se desplace permaneciendo Q casi en el mismo lugar.
d) Salga fuera de la recta de carga.
4. (0'3 puntos) Si un transistor bipolar npn está saturado, ¿Qué respuesta NO es correcta en
general?:
a) La tensión base-emisor es positiva.
b) La tensión colector-base es cercana a 0V en valor absoluto.
c) La tensión colector-emisor VCE es cercana a 0V.
d) La tensión VCE pasa a ser la mitad de la tensión de alimentación.
5.(0'3 puntos) En el circuito de la figura el FET se ha polarizado de modo que su punto de
trabajo (Q) sea: VDSQ=7V e IDQ=2mA ¿Cuánto valdrán RD y la capacidad del condensador C1
para que la frecuencia de corte a -3 dB del acoplo capacitivo mediante C1 sea fcorte=100 Hz,
siendo RSIG=7,5 kΩ la resistencia de entrada de la siguiente etapa?
a) 2,5 kΩ y 159 nF.
b) 2,5 kΩ y 15,9 nF.
c) 5 kΩ y 15,9 nF.
d) Ninguna de las anteriores.
RD
C1
VDD=12 V
Vi
RSIG
Vo
VGS=-1V
6.(0'3 puntos) Si en las curvas características de un FET vemos que al pasar de VGS = - 0,1 V a
VGS = -0,2V manteniendo VDS constante, la corriente ID disminuye de 12mA a 8 mA, podemos
decir que La transconductancia gm del FET a esa VDS y para VGS = - 0,15 V:
a) Valdrá unos 0.15 Siemens.
b) Valdrá unos 40 miliSiemens.
c) Valdrá unos 400 Siemens.
d) Esa gm del FET no puede estimarse sin conocer su tensión de “pinch-off” Vp.
7.(0'3 puntos) El factor de rechazo al modo común (CMRR) de un Amplificador Operacional:
a) Mide la relación entre la ganancia obtenida bajo realimentación positiva y la que se obtiene
bajo la misma realimentación negativa aplicada a ese amplificador operacional.
b) Conviene que sea negativo y de alto valor si se mide en dB.
c) Conviene que sea positivo y de alto valor alto si se mide en dB.
d) Es proporcional a la tensión de alimentación del amplificador.
8.( 0'3 puntos) La configuración con amplificador operacional denominada Seguidor de Tensión
(Buffer) es un amplificador:
a) Inversor de ganancia unitaria
b) Con realimentación positiva y ganancia unidad.
c) Con realimentación negativa y ganancia -1.
d) Con realimentación negativa y ganancia 1.
9. (0'3 puntos) La causa de que se produzca una igualdad de tensiones virtual en las entradas
de un amplificador operacional de gran ganancia (Ad ∞) es:
a) Su realimentación positiva.
b) Su realimentación negativa.
c) Su realimentación negativa únicamente si la configuración es inversora.
d) Su realimentación positiva únicamente si la configuración es no-inversora.
R2
10. (0'3 puntos) En un oscilador en puente de Wien con red β de
realimentación selectiva en frecuencia como la de la Figura, la
frecuencia de oscilación será:
a) La frecuencia para la que la red selectiva β desfasa 180º.
b) La frecuencia a la que la red selectiva β tiene ganancia mayor
que 0 dB (unos 9.5 dB).
c) La frecuencia para la que la red selectiva β desfasa 0º.
d) La frecuencia donde se cumplen las condiciones b) y c).
R1
C 22nF
R
2.2K
R
Vo
2.2K
C 22nF
11. (0'7 puntos) En el circuito de la figura, la fuente Vi de tensión DC se configura para que
suministre tensiones de: 0.2V, 1V, 3V. ¿Qué tensión proporcionará el circuito en la salida Vo
para cada una de estas tensiones de entrada?
6K
(tensión de polarización directa del diodo Vd=0.6V)
a) 0.2V, 0.6V y 0.6V respectivamente.
b) 0.05V, 0.25V y 0.6V respectivamente.
c) 0V, 0.6V y 0.75V respectivamente.
d) 0.05V, 0.6V y 0.6V respectivamente.
2K
Vi
Vo
12. (0'7 puntos) Determine el valor de las resistencias RB y RC del siguiente circuito, para que
se garantice que el transistor BJT se encuentra en saturación y se estén disipando unos 90mW
en la resistencia RC. (Datos: VBE=0.7V, VCEsat=0.35V, β=100)
a) RC= 1.5KΩ, RB= 150KΩ.
b) RC= 1.6KΩ, RB= 140KΩ.
c) RC= 1.5KΩ, RB= 130KΩ.
d) El transistor no puede entrar en saturación si en la malla de base no
añadimos una nueva fuente de tensión.
RB
RC
12V
13. (0'7 puntos) Determine el punto de trabajo Q del
transistor BJT del circuito de la figura. Los parámetros del
transistor son: VBE=0.7V y β=100.
452K
3.3K
a) VCE= 2.74 V, IC= 3.42 mA.
b) VCE= 3.75 V, IC= 2.5 mA.
c) VCE= 2 V, IC= 4.68 mA.
d) En este circuito el transistor está saturado, por lo que
resulta difícil decir qué VCE tiene.
12V
14. (0'7 puntos) Calcule el valor de la resistencia
R para que la intensidad que circule por los LED
sea 5mA. Datos: β = 100, VBE = 0'7 V. VLED = 1'8 V.
a) 2'3 kΩ
b) 52 kΩ
c) 71'5 kΩ
d) Ninguna de las anteriores
15. (0'7 puntos) Para tener en el circuito de la Figura una resistencia de entrada Ri≈2500Ω
entre base y masa y considerando que a la temperatura a la que está el circuito el voltaje
térmico vale VT=25 mV, diga cuál de estas frases es
correcta tomando β=100 y VBE=0.7V como parámetros
del transistor:
a) La resistencia RB será mayor de 800 kΩ.
b) La resistencia RC será de 2.5 kΩ.
c) En este circuito no se puede tener una Ri tan baja.
d) Ninguna de las frases anteriores es correcta.
16.(0'7 puntos) Determine la ganancia en tensión (módulo de vo/vi) del circuito de la figura
siguiente (suponiendo nula la impedancia de los condensadores de acoplo a la frecuencia de
trabajo). Los parámetros del transistor son:
VBE=0.7V, VT=25mV y β=hfe=100.
240
40K
a) 139.7 V/V.
b) 218.6 V/V.
c) 4.83 V/V.
d) 3.09 V/V.
50
Vi
V!
1K
12V
Vo
17.(0'7 puntos) La etapa amplificadora de la figura tiene una ganancia en tensión para
pequeña señal AV=vo/vi cuyo módulo es 200. Sabiendo que RB=1,13 MΩ ¿Cuánto valdrá RC
suponiendo para el BJT una β=hfe=100 y VBE=0,7V?
NOTA: considérese la tensión térmica VT=25 mV.
RC
RB
a) 500Ω.
b) 5kΩ.
c) 50kΩ.
d) Ninguna de las anteriores.
VCC = 12V
Vo
Vi
11
18.(0'7 puntos) Considerando el amplificador operacional ideal, calcule qué valores de R2 y R1
configuran un amplificador no inversor de ganancia 10. Para que el AO no tenga que dar altas
corrientes a su salida, tome una intensidad por R1 y R2 de 1 mA cuando la tensión de salida
sea de Vo= 5 V.
2
3
1
R2
4
a) R2= 4,5 kΩ y R1= 0,5 kΩ.
b) R2= 0,5 kΩ y R1= 4,5 kΩ.
c) R2= 1 kΩ y R1= 9 kΩ.
d) Ninguna de las anteriores.
Vi
Vo
R1
19.(0'7 puntos) En el circuito de la figura tenemos
R2=20kΩ, R1=5kΩ, VA=4 mV y VB=-2 mV ¿Cuánto
valdrá V0(t)?
a) 2 mV.
b) 8 mV.
c) 12 mV.
d) 24 mV.
20.(0'7 puntos) Los valores del circuito de la figura son: R1=10KΩ, R2=22KΩ, R=4.7KΩ y
C=10nF. Suponiendo que los valores máximo y mínimo de la tensión vo a la salida del AO son
+14V y -14V, ¿Entre qué valores oscilará la tensión en la entrada inversora del A.O.?
R2
a) Entre cero y cero dado que el circuito no oscila porque
tiene una realimentación positiva independiente de la
frecuencia (no selectiva por tanto).
b) Entre +14V y -14V porque el integrador RC en la
realimentación negativa genera una configuración
derivadora que hace que la entrada V- al cabo de cierto
tiempo sea igual a vo.
c) Entre +4.38V y -4.38V.
d) Entre +6.36V y -6.36V.
R1
V+
V-
C
R
Vo
Pregunta
Respuesta
1
d
2
b
3
a
4
d
5
a
6
b
7
c
8
d
9
b
10
c
11
b
12
c
13
b
14
b
15
a
16
a
17
b
18
a
19
d
20
c