UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL FACULTAD REGIONAL MENDOZA DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA CÁTEDRA DE TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA MATERIALES PIEZOELECTRICOS Y EFECTO PIEZOELECTRICO PROFESOR TITULAR: ING. ADOLFO F. GONZÁLEZ PROFESOR ADJUNTO: ING. RICARDO M. CESARI AYUDANTE TRABAJOS PRÁCTICOS: ING. RUBÉN O. VICIOLI 2009 TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA F.R.M. - U.T.N. ÍNDICE INTRODUCCIÓN ______________________________________________________________________ 3 EL EFECTO PIEZOELÉCTRICO EN LA CERÁMICA __________________________________________ 4 LAS CERÁMICAS PIEZOELÉCTRICAS ________________________________________________________________ 4 EL MONOCRISTAL DE TITANATO DE BARIO __________________________________________________________ 5 EJEMPLO PRÁCTICO ____________________________________________________________________________ 7 TEORÍA Y DEFINICIÓN DE CANTIDADES __________________________________________________ 8 RELACIONES PIEZOELÉCTRICAS ___________________________________________________________________ 8 SUBÍNDICES __________________________________________________________________________________ 9 Constante dieléctrica ε: _____________________________________________________________________ 10 Constante elástica s: ________________________________________________________________________ 10 Constantes piezoeléctricas d,g,k: ______________________________________________________________ 10 Casos especiales KP y Kt: ____________________________________________________________________ 10 Constante de frecuencia N: __________________________________________________________________ 11 CARACTERÍSTICAS TECNOLÓGICAS ___________________________________________________ 11 TIPOS DE MATERIALES PIEZOELÉCTRICOS __________________________________________________________ 11 PXE 3: __________________________________________________________________________________ 11 PXE 4: __________________________________________________________________________________ 11 PXE 5: __________________________________________________________________________________ 11 PXE 7: __________________________________________________________________________________ 12 PXE 10: _________________________________________________________________________________ 12 PXE 11: _________________________________________________________________________________ 12 TÉCNICAS DE UNIÓN DE LOS ELECTRODOS __________________________________________________________ 13 Pegado:__________________________________________________________________________________ 13 Soldado: _________________________________________________________________________________ 13 DESPOLARIZACIÓN ___________________________________________________________________________ 13 Despolarización térmica: ____________________________________________________________________ 13 Despolarización Eléctrica: ___________________________________________________________________ 13 Despolarizción mecánica: ___________________________________________________________________ 13 ESTABILIDAD________________________________________________________________________________ 14 APLICACIONES ______________________________________________________________________ 14 FILTROS PASABANDA CERÁMICOS PXE ____________________________________________________________ 14 Funcionamiento: ___________________________________________________________________________ 14 Características: ___________________________________________________________________________ 14 Ejemplo: _________________________________________________________________________________ 16 FUNCIONAMIENTO DE LOS RESONADORES A FRECUENCIAS MÁS ALTAS ____________________________________ 16 CERÁMICAS PIEZOELÉCTRICAS EN ULTRASONIDO ____________________________________________________ 17 Generalidades: ____________________________________________________________________________ 17 Generadores ultrasónicos: ___________________________________________________________________ 17 BIBLIOGRAFÍA ______________________________________________________________________ 19 -2– TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA F.R.M. - U.T.N. INTRODUCCIÓN La piezoelectricidad, descubierta por Jacques y Pierre Curié en el año 1880, es el nombre dado al fenómeno en el cual se genera electricidad en ciertos materiales sujetos a un esfuerzo mecánico. Los mismos materiales muestran el efecto inverso en el que cambian su forma bajo la influencia de un campo eléctrico. Los materiales piezoeléctricos más comunes son cristales naturales como el cuarzo, la turmalina, la sal de Rochelle, etc., los cuales han servido durante muchos años como transductores de una cantidad de aplicaciones electro – mecánicas y mecano – eléctricas y que seguramente seguirán encontrando nuevas aplicaciones en el futuro. Sin embargo el descubrimiento de materiales cerámicos piezoeléctricos abrió el camino hacia numerosas aplicaciones. Los materiales cerámicos piezoeléctricos son químicamente inmunes a la humedad o cualquier otra condición atmosférica. Tienen propiedades mecánicas semejantes a las más conocidas cerámicas de aislación y son fabricadas en procesos similares aunque se efectúa un control más estricto en la formación de propiedades eléctricas. Por su naturaleza cerámica a estos materiales piezoeléctricos puede dárseles cualquier forma o tamaño con la dirección de polarización elegida libremente para cumplir con todas las necesidades de diseño del transductor. Además son extremadamente firmes, es decir, son capaces de producir o soportar muy grandes esfuerzos. Con pequeños cambios de la composición química de los materiales es posible enfatizar una o más propiedades específicas de modo tal de cumplir especialmente los requerimiento de ciertas aplicaciones. Los numerosos campos de aplicación pueden ser divididos en los siguientes grupos: a. Generadores de alta tensión: - Ignición o encendido de llama piloto en aparatos a gas. Encendedores de cigarrillos. Encendido de bulbos de flash. Encendido de mecha de explosivos. b. Transductores de ultrasonido de alta intensidad: c. Desgaste y limpieza por ultrasonido. Soldadores ultrasónicos de plástico y metales. Maquinados ultrasónicos, por ejemplo: taladrado. Proyectores sonares. Terapia médica ultrasónica. Humidificadores ultrasónicos. Transductores ultrasónicos de baja intensidad: - Ensayos no destructivos ultrasónicos. Diagnósticos médicos ultrasónicos. Sonares. Aparatos para exploración sísmica. Transductores de retardo acústico (reverberadores). d. Sistemas de flexión: - Cápsulas Pick Up. Timbres piezoeléctricos de golpeteo. Sensores aéreos ultrasónicos. Micrófonos. Telecomandos. e. Otras aplicaciones: - Filtros pasa banda cerámicos de F.I. Detectores ultrasónicos de nivel de líquido. Medidores ultrasónicos de flujo. Detectores ultrasónicos de solidez o dureza. Acelerómetros. Detectores de esfuerzo. Control de movimientos leves. -3– TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA F.R.M. - U.T.N. EL EFECTO PIEZOELÉCTRICO EN LA CERÁMICA Las cerámicas piezoeléctricas Para ayudar entender el efecto piezoeléctrico debemos considerar primero la micro estructura del material. Desde el punto de vista eléctrico la cerámica piezoeléctrica puede considerarse que contiene dipolos elementales (Figura 1), consistentes en una carga positiva y una negativa a una cierta distancia. Antes del proceso de fabricación los dipolos no muestran preferencia por alguna dirección en particular, de modo que en el material cerámico están orientados al azar (figura 1.a). Cuando se aplica un esfuerzo la suma de los desplazamientos de carga es cero tal que bajo estas condiciones el material no exhibirá un efecto piezoeléctrico. Dipolos en cerámicas piezoeléctricas (a) antes y (b) después de la polarización Figura 1 Para obtener actividad piezoeléctrica los dipolos deben primero ser orientados, lo que se hace exponiendo al material cerámico a un fuerte campo eléctrico externo a alta temperatura, no más allá de la llamada temperatura Curié (recordemos que la temperatura Curié es aquella en que la permeabilidad relativa de los materiales ferromagnéticos cae al valor 1). A esta temperatura los dipolos naturales desaparecen y son creados nuevamente en forma espontánea cuando disminuye la temperatura. Bajo estas condiciones polares los dipolos toman una dirección correspondiente a la dirección del campo de polarización (figura 1.b), con el resultado que el cuerpo de la cerámica muestra una elongación en la misma dirección (en realidad los dipolos nunca se orientan como idealmente sugiere la figura 1.b; la estructura cerámica admite solo ciertas rotaciones a los dipolos). Después de remover el campo de polarización y enfriar el material los dipolos no pueden volver fácilmente a su posición original y lo que se obtiene es llamado polarización remanente del material cerámico. El cuerpo cerámico se ha convertido, en forma permanente, en piezoeléctrico y puede convertir energía mecánica en eléctrica y viceversa. Por eso es indispensable hacer a estos materiales un tratamiento de polarización, y usualmente la operación final se lleva a cabo conectando los electrodos al material cerámico a una fuente de tensión continua. Prácticamente las cerámicas piezoeléctricas están constituidas por mezclas policristalinas: titanatos de bario, de calcio, de plomo o de titanozirconatos de plomo. Se obtienen por compresión del polvo a alta temperatura, siendo moldeadas y cocidas en un horno. Las cerámicas pueden ser producidas en forma de discos, de bastones, de paralelepípedos, de tubos, de sectores cilíndricos y de semiesferas, que pueden ser ensambladas luego como esferas. Las piezas terminadas son provistas de electrodos de plata, cocidos a horno. Para ciertas aplicaciones la cara activa plateada de la cerámica es protegida por un esmalte vitrificado. -4– TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA F.R.M. - U.T.N. El monocristal de titanato de bario La figura 2 representa la estructura cúbica del titanato de bario por encima de 120 ºC (punto Curie). A temperaturas inferiores a 120 ºC la célula elemental cúbica se convierte en un paralelepípedo rectangular de base cuadrada. En el curso de esta deformación , el Ion titanio ya no se encuentra en el centro de la célula, sino, que se desplaza al interior de la cavidad octaédrica , formada por los iones O2, siguiendo uno de los dos sentidos de uno de los tres ejes cuaternarios de la célula cúbica, de donde surge la aparición de una polarización espontánea (modelo simplificado para un eje cuaternario; (Figura 3). Estructura cúbica del titanato de bario Figura 2 Pasaje de una estructura cúbica a una estructura paralelepípeda de base cuadrada. Figura 3 Ante la acción de un campo eléctrico alternado, el Ion titanio puede pasar de la posición A a la posición B y viceversa. En forma exagerada, la figura 4 muestra el fenómeno de piezoelectricidad en un cilindro de material cerámico piezoeléctrico. La figura 4.a muestra el cilindro bajo la condición de no esfuerzo. Si se aplica una fuerza externa para producir compresión o tracción en el material, la deformación resultante provoca un desplazamiento de cargas y puede medirse una tensión entre los electrodos. Si el esfuerzo mecánico es tal que el cuerpo cerámico retoma su tamaño original antes de ser polarizado (figura 4.b) la tensión medida tendrá la misma polaridad que la tensión usada para polarizarlo (debe notarse que el tamaño del cristal sin polarizar es el de la figura 4.b y que en el proceso de polarización sufre una elongación adoptando el tamaño que se muestra en la figura 4.a). Cuando el esfuerzo mecánico es inverso, la tensión sobre los electrodos tendrá también polaridad inversa (figura 4.c). -5– TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA F.R.M. - U.T.N. El efecto piezoeléctrico en un cuerpo cilíndrico de cerámica piezoeléctrica. Figura 4 Si una tensión continua con polaridad opuesta a la tensión de polarización se aplica sobre los electrodos, el cilindro se acortará (figura 4.d). Si la polaridad de la tensión aplicada es igual a la de polarización del cilindro sufrirá una elongación (figura 4.e). Cuando se aplica un campo alternativo, el cilindro se acortará y alargará alternativamente (figura 4.f). Para mayor claridad se ha dibujado en cada figura un dipolo orientado. La idea expresada por la figura 4.f puede ser completada con la figura 5, que muestra como puede obtenerse una tensión alterna por sucesivas tracciones y compresiones sobre un cristal piezoeléctrico. Figura 5 -6– TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA F.R.M. - U.T.N. Ejemplo Práctico Tensión a circuito abierto (kV) Nos interesa saber cuan grande es realmente este efecto de conversión. Consideremos primero la acción de generador, esto es el fenómeno en el cual se transforma energía mecánica en eléctrica. Un cilindro cerámico piezoeléctrico de 20mm de longitud y una sección transversal de 1cm2 puede servir de ejemplo. El gráfico de la figura 6 en que se grafica tensión eléctrica en función de presión aplicada, muestra que la tensión es linealmente proporcional a la presión aplicada hasta un valor de 20.000 voltios, a una presión de 5x107 N/m2 o 500Kgf/cm2 (alrededor de 500atm.) Una presión tal puede aplicarse con una prensa simple. Una fuerza de unos pocos Newton puede aplicarse manualmente, y no se requieren más de 25 N para generar 100V. La energía eléctrica total desarrollada es tan baja que el experimento no involucra peligro alguno para la persona. Esto se debe a que la energía se desarrolla en un muy corto periodo de tiempo (algunas decenas de nano segundos) dando una potencia mínima. Un ejemplo claro es el encendedor de cocina tipo “magi click”. 30 25 20 15 10 5 0 0 100 200 300 400 500 Presión (Kgf/cm2) Tensión a circuito abierto de un cilindro cerámico de 20mm de longitud en función de la presión aplicada. Figura 6 En consecuencia de lo dicho, la intensidad de campo E dado en V/mm es proporcional al esfuerzo o tensión T aplicada. Esto se expresa como: E = -g × T donde g es una constante del material (la constante de tensión o voltaje piezoeléctrico), o sea la relación entre la intensidad de campo inducida y el esfuerzo aplicado. Ejemplos de aplicación en conversión mecano – eléctrica son: encendido de gases en encendedores y varias aplicaciones domésticas, detectores de esfuerzo, cápsulas pick up fonocaptoras, acelerómetros, receptores de sonido (hidrófonos y micrófonos), etc. Cuando nos referimos a la acción de motor (conversión electro – mecánica) de cerámicas piezoeléctricas podemos usar la formula simple: S = d×E donde S = ∆l / l y representa la deformación longitudinal bajo una cierta intensidad de campo E (figura 6). Una vez más, d es una importante constante del material conocida como constante de carga piezoeléctrica. Con la ayuda de estas expresiones puede calcularse que a la máxima tensión permisible el cilindro considerado alcanza una elongación de alrededor de 4 micrones (1micrón = 10-3mm). Esto corresponde a un valor de S = 2x10-4 (figura 6). Estas figuras se refieren a esfuerzos estáticos; bajo la influencia de campos dinámicos (alternativos) la situación cambia. Esto es: a la frecuencia de resonancia mecánica las amplitudes máximas pueden ser mucho más grandes que los desplazamientos estáticos. -7– TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA F.R.M. - U.T.N. Elongación de un cuerpo cilíndrico de cerámica piezoeléctrica producida por una tensión continua. Figura 7 Para deflexiones aún más grandes (mayores de 1mm), hay elementos de flexión especiales que combinan el efecto estrictamente piezoeléctrico con una acción interna de palanca. Ejemplos de aplicación donde se usa el efecto motor sin transductores para limpieza ultrasónica, campanillas piezoeléctricas, llaves y muchas otras. TEORÍA Y DEFINICIÓN DE CANTIDADES Relaciones piezoeléctricas La condición eléctrica de un medio no sujeto a esfuerzo bajo la influencia de un campo eléctrico queda definida por 2 cantidades: la intensidd de campo E y la densidad de flujo electro estático D que están relacionadas según: D = ε×E donde ε es la permitividad del medio. La condición elástica del mismo medio bajo intensidad de campo cero está definida por 2 cantidades mecánicas: la tensión aplicada T y la deformación relativa S que están relacionadas por: S = s×T donde s depende de la elasticidad del medio. La piezoelectricidad involucra la interacción entre el comportamiento eléctrico y elástico de un medio y es así definido por las relaciones lineales entre las dos variables eléctricas y las dos elásticas: S = s E × T + d × E D = d × T + ε T × E (A) La elección de las variables independientes (una elástica T y otra eléctrica E) es arbitraria. Otro par de ecuaciones piezoeléctricas distintas corresponderá a una elección diferente de variables independientes. El siguiente par de relaciones provee otra combinación útil: D E = − g × T + T ε S = s D × T + g × D (B) Las constantes sD, sE, εT, d y g utilizadas en estas fórmulas necesitarán una explicación ulterior. Los súper índices en los símbolos muestran la cantidad que se mantiene constante en condiciones límite. Por ejemplo: si cortocircuitando los electrodos el campo eléctrico a través del cuerpo piezoeléctrico se mantiene constante se utiliza el súper índice E. Manteniendo los electrodos en circuito abierto la densidad de flujo electro estático se mantiene constante, se usa el súper índice D. Luego sD y sE son los módulos de elasticidad (relación deformación relativa – tensión) para una densidad de carga eléctrica constante y un campo eléctrico constante respectivamente, y εT es la constante dieléctrica (relación desplazamiento campo) con una fuerza constante. Surge de las ecuaciones (A) y (B) que hay dos formas de definir las constantes piezoeléctricas d y g. Así d puede ser definido como el cociente entre S y E o D y T; igualmente g puede ser definido de otros dos cocientes (ver tabla 1). -8– TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA Constante d g F.R.M. - U.T.N. Definición Unidades (Sistema M.K.S.) Desplazamiento - Dieléctrico − Desarrollado Esfuerzo − Mecánico − Aplicado Tensión − Desarrollada Campo − Aplicado Campo − Desarrollado Esfuerzo − Mecánico − Aplicado Coulomb Metro 2 C o Newton Metro 2 N Metro Metro m o Metro Volt V Volt Metro V⋅m o 2 N Newton Metro Tensión − desrrollada DesplazamientoDieléctricoAplicado Metro Metro m2 o Coulomb Metro 2 C Definición de las constantes d y g Tabla 1 Tomando la relación entre los productos cruzados de los coeficiente de las ecuaciones (A) y (B) se obtiene: d2 = K2 E T s ×ε y g2 × εT K2 = sD 1− K2 ( ) Se ha introducido la constante K que puede ser considerada simplemente como una cantidad numérica conveniente. Sin embargo, tiene un significado físico básico. A frecuencias muy por debajo de la frecuencia de resonancia mecánica fundamental, K2 puede expresarse como: energía E K convertida K 2 = energía E K de entrada donde la energía EK es la energía potencial de desplazamientos atómicos retenida por el cristal luego de haber sido sometido a la irradiación del campo eléctrico. Esta fórmula es válida para las conversiones de energía electro – mecánica y mecano – eléctrica, pero no necesariamente representa el rendimiento total (relación entre la potencia útil convertida y la potencia de entrada), el cual será mucho menor que K2 a bajas frecuencias. Para los transductores resonantes el rendimiento total es generalmente mucho mayor que K2. Subíndices En los materiales piezoeléctricos polarizados las constantes dependen de la dirección del campo eléctrico, densidad de flujo, tensión y deformación relativa. Por ello se agrega a los símbolos subíndices que indican dirección. Para los materiales cerámicos piezoeléctricos la dirección de polarización positiva se toma usualmente como la del eje Z de un sistema ortogonal XYZ como el de la figura 8. Dado que estos materiales tienen simetría polar, los sentidos de X e Y elegidos en un elemento tienen importancia, y planos paralelos al eje Z son planos de reflexión. Notación Axial Figura 8 -9– TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA F.R.M. - U.T.N. Si las direcciones X, Y, Z se representan como 1, 2 y 3 respectivamente y los giros o torsiones sobre estos ejes como 4, 5 y 6 respectivamente los distintos parámetros pueden ser escritos con subíndices referentes a ellos (figura 8). Constante dieléctrica ε: El primer subíndice da la dirección del desplazamiento eléctrico, el segundo indica la dirección del campo eléctrico. Ejemplo: εT11 es la constante dieléctrica para densidad de flujo electrostático y campo en la dirección 1 bajo condiciones de tensión constante (T=0). Constante elástica s: El primer subíndice da la dirección de la deformación relativa y el segundo la dirección de la tensión. Ejemplo: s 33 E = 1 Y33 E es la relación deformación – tensión en la dirección 3 con un campo eléctrico constante (E=0). s 55 = 1 D Y55 D es la relación deformación por torsión a esfuerzo torsor en el plano 31 con densidad de flujo electrostático constante (D=0). Constantes piezoeléctricas d,g,k: El primer subíndice se refiere a la dirección del campo eléctrico y el segundo da la dirección de la deformación. Ejemplo: d33 es la relación entre la deformación en la dirección 3 al campo aplicado en la dirección 3, con el cuerpo piezoeléctrico mecánicamente libre y no sujeto a campos en las direcciones 1 y 2. También representa la relación de la carga que fluye en dirección 3 cuando los electrodos en corte a la tensión aplicada en la dirección 3 (siempre que el material está libre de cualquier otra tensión). g31 da la relación del campo desarrollado en la dirección 3 a la tensión aplicada en la dirección 1 cuando no hay otras tensiones externas y cuando no hay cargas aplicadas, ya sea en la dirección 3 como en las direcciones 1 y 2. También da la relación entre la deformación en la redirección 1 a la densidad de la carga aplicada a los electrodos los cuales están colocados en ángulos rectos con el eje 3, mientras que el material esté nuevamente libre mecánicamente en todas las direcciones y no se aplique campo en las direcciones 1 y 2. K31 es el coeficiente de acoplamiento entre la energía mecánica “EK” de entrada en la dirección 1 y la energía eléctrica convertida “EK” en la dirección 3, o la posibilidad inversa. Casos especiales KP y Kt: El coeficiente de acoplamiento planar KP de un disco redondo fino da el acoplamiento entre el campo eléctrico en la dirección 3 (dirección del espesor), y las acciones mecánicas simultáneas en las direcciones 1 y 2 (figura 9), que dan una vibración radial, por esto se habla de acoplamiento radial (Kr = KP). - 10 – TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA F.R.M. - U.T.N. Vibración Planar en una lámina delgada de material piezoeléctrico. Figura 9 El coeficiente de expansión del grosor Kt de un disco fino con contorno arbitrario da el acoplamiento entre el campo eléctrico en la dirección 3 (dirección del espesor) y la vibración mecánica en la dirección 3. Constante de frecuencia N: La constante de frecuencia depende de la frecuencia de resonancia mecánica y de las dimensiones que gobiernan esa frecuencia. El subíndice se refiere a la dirección de la vibración resonante. Por ejemplo, para vibración planar de un disco redondo fino la constante de frecuencia se anota como NP, y es el producto de la frecuencia de resonancia por el diámetro del disco. La constante de frecuencia para vibración longitudinal para una barra larga polarizada según su eje, es usualmente anotada como N3. Sin embargo, la constante de frecuencia para la vibración de extensión de grosor (o espesor) de un fino disco con un contorno arbitrario polarizado en la dirección del espesor es llamado usualmente Nt. Para un disco Nt y NP son parámetros de interés. CARACTERÍSTICAS TECNOLÓGICAS Tipos de materiales piezoeléctricos Todos los materiales piezoeléctricos están enmarcados bajo el nombre de “Pieóxidos”, los cual es una constracción del término óxidos piezoeléctricos, a los cuales nos referimos, para abreviar, como PXE. Existen los siguientes tipos de materiales PXE, cada uno con características específicas para lograr un propósito particular: PXE 3: Es una placa cerámica de titanato – zirconato de plomo con un coeficiente de acoplamiento de corte muy alto, una baja constante dieléctrica y una alta temperatura Curié. Así se logra una pequeña despolarización por efecto de soldado. Estas propiedades hacen que el PXE 3 sea útil en aplicaciones de resonancia de alta frecuencia (bajo esfuerzos de corte o torsión), como por ejemplo transductores de retardo ultrasónico. PXE 4: Este tipo es de titanato – zirconato de plomo mejorado, el cual tiene excelentes propiedades para dos importantes campos de aplicación, que son transductores resonantes de alta intensidad y generadores de alta tensión. La alta fuerza coercitiva y el alto factor Q mecánico unidos a la baja disipación de calor que produce una onda incidente sobre el material cerámico (dieléctrico) hacen que el PXE 4 pueda ser llevado a grandes amplitudes de deformación , lo cual es requerido, por ejemplo, en limpieza ultrasónica y sonares. También soporta fácilmente las cargas repetitivas de las muyn altas fuerzas cuasi – estáticas y dinámicas necesarias para la generación de alta tensión. PXE 5: Como el anterior, es de Titanato – Zirconato de Plomo mejorado. Tiene un factor Q mecánica bajo, un coeficiente de acoplamiento muy alto y buena sensibilidad de carga. Por esto es el tipo ideal para todas las aplicaciones de sensores mecano – eléctricos no resonantes, tales como cápsulas pick up, micrófonos, etc. El PXE 5 tiene mejor estabilidad térmica y por envejecimiento que los otros tipos. La resistividads, aún a altas temperaturas es extremadamente alta. - 11 – TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA F.R.M. - U.T.N. PXE 7: Es similar al PXE 3 pero con mejores característicasde estabilidad. Es utilizado en las líneas de retardo ultrasónico en receptores de TV, sistema PAL. PXE 10: Tiene una cosn tante dieléctrica extremadamentealta y, como el PXE 5, el factor de mérito Q mecánico es bajo, por lo cual es útil en aplicaciones mecano – eléctricas no resonantes que requieran un alto rendimiento de conversión de energía. PXE 11: Es un novato de sodio y potasio. Tiene una constante de frecuencia comparativamente alta. Ambas proipiedades hacen del PXE 11 el material ideal para transductores de muy alta frecuencia (fr = 10 – 100 Mhz), por ejemplo en líneas de retardo. La tabla 2 muestra algunos parámetros característicos de estos materiales: Cantidades y Símbolos Datos Mecánicos Masa Específica ρ Y11E Módulo de Y33E Elasticidad Y55E Calor Específico Conductividad del Calor Compresión Tensión Flexión Constante de Poisson σ Datos Eléctricos Temperatura Curie (temperatura de transición) T/ε Constante Dieléctrica ε33 0 Relativa ε11T/ε0 Resistividad Volumétrica ρel (25 ºC) Constante de Tiempo ρelε33T (25 ºC) Disipación Dieléctrica, Factor tan δ (x 10-2) Datos Electro - Mecánicos kP k31 Factores de Acoplamiento k33 K15 d31 Constantes de d33 Carga Piezoeléctrica d15 g31 Constante de Voltaje g33 Piezoeléctrico g15 Factor de Calidad Mecánica (QmE)P para modo radial NPE N1E Constantes de Frecuencia N3E N5E Unidad PXE 3 PXE 4 PXE 5 103 Kg/m3 Numerica 7.8 a 7.95 0.88 0.79 0.27 420 1.2 >6 ≈ 0.8 ≈ 1.0 ≈ 0.3 7.45 a 7.55 0.77 0.79 420 1.2 >6 ≈ 0.8 ≈ 1.0 ≈ 0.3 7.55 a 7.65 0.65 0.59 0.26 420 1.2 >6 ≈ 0.8 ≈ 1.0 ≈ 0.3 7.6 0.82 0.28 420 1.2 >6 ≈ 0.8 ≈ 1.0 ≈ 0.3 7.6 0.58 420 1.2 >6 ≈ 0.8 ≈ 1.0 ≈ 0.3 ºC 395 265 285 320 185 Numerica 570 900 1500 - 1750 1800 680 1050 3000 - 400 (195) 450 600 Ωm 1012 1011 1014 - - - Minutos > 30 > 30 > 300 - - - Numérica 0.5 0.6 2.0 2.0 3 2.5 0.52 0.30 0.65 0.71 -74 166 385 -14.8 34.5 48.5 0.55 0.32 0.68 -141 265 -9.4 20.0 - 0.62 0.36 0.70 0.66 -178 356 515 -11.3 23.2 32.5 0.53 0.66 -84 350 -14.0 44.2 0.65 0.38 -275 -9.1 - 0.73 0.25 0.65 -44.5 235 -11.2 44.0 300 500 80 Abt. 80 Abt. 80 270 2300 1680 1560 930 Tabla 2 2200 1620 1610 - 2000 1460 1390 930 2250 1640 970 1900 1390 - 3600 2650 1500 1011 N/m2 J/Kg ºC W/m ºC 108 N/m2 Numerica 10-12 C/N 10-3 Vm/N Numérica Hz.m o m/s - 12 – PXE 7 PXE 10 PXE 11 4.5 1.2 0.41 420 1.2 >6 ≈ 0.8 ≈ 1.0 ≈ 0.3 TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA F.R.M. - U.T.N. Técnicas de unión de los electrodos La unión de los electrodos se realiza por pegado o por soldado. Pegado: Previamente al pegado, los terminales del elemento PXE deben ser limpiados a fondo con un solvente removedor de grasa (por ejemplo: clorotrietileno). Frecuentemente se usan pegamentos conductores, que tienen como desventaja que la amortiguación mecánica es muy dependiente de la temperatura (estndo el límite alrededor de 50 ºC). Soldado: Los electrodos de muchos transductores puçiezoeléctricos se hacen de plata. La unión firme entre la plata y el cuerpo cerámico se hace por descarga de una pasta de plata sobre la superficie cerámica. El grosor de la capa resultnte alcanza lo 25 micrones y sobre ella pueden soldarse los terminales, siempre que se la mantenga limpia y el tiempo de soldado sea corto (de lo contrario puede disolverse la capa de plata). Despolarización Como se ha mensionado en los párrafos precedentes, los materiales piezoeléctricos están polarizados en forma permanente. Sin embargo, cuando se trabaja con estos materiales, deberán tenerse en cuenta los siguientes puntos: a. b. c. La temperatura delm material debe mantenerse bastante por debajo delm punto Curié; El material no debe ser expuesto a campos alternativos muy fuertes; La tensión mecánica aplicada al material no debe exceder límites específicos. Si una de estas 3 condiciones no se cumple el material puede despolarizarse (pierde la semi permanente estructura orientada inducida en los dipolos eléctricos), de modo tal que las propiedades piezoeléctricas sean menos pronunciadas o se desvanezcan por completo. Estas tres condiciones se discuten a continuación: Despolarización térmica: En el caso de despolarización térmica, es decir, cuando el material ha sido expuesto a excesivo calor, los dipolos eléctricos son capaces de retomar su estado no alineado. La performance piezoeléctrica sew deteriora y eventualmente, en el punto Curié, elelemento sufre una pérdida completa y permanente de sus propiedades piezoeléctricas. Para un funcionamiento contínuo sin despolaruización aprecialble se recomeintçda trabajar bastante por debajo del punto Curié. Un límite de temperatura seguro es el valor medio entre 0 y el punto Curié expresado en ºC. Despolarización Eléctrica: La despolarización eléctrica tiene lugar bajo la influencia de fuertes campos alternativos. Los elementos piezoeléctricos están expuestos a despolarizaciones durante el medio ciclo (del campo alternativo) en el que el campo eléctrico se opone a la tensión original de polarización. Este tipo de despolarización tiene lugar en campos de intensidad de más de 500 V/mm, provistos cuando el transductor trabaja cuasi – estáticamente. Despolarizción mecánica: La despolarización mecánica ocurre cuando la tensión mecánica sobre un elemento piezoeléctrico se hace demasiado grande. Aparece así el peligro de que la orientación direccional en la cerámica aparezca inmediatamente deteriorada, que en definitiva determina un aperformance piezoeléctrica mucho peor de los elementos. Los límites de seguridad de tensión varían considerablemente con el tipo de material. - 13 – TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA F.R.M. - U.T.N. Estabilidad Las propiedades de elemntos piezoeléctricos son más o menos dependientes de la temperatura y el tiempo. La estabilidad como función del tiempo es de particular interés. Afortunadamente la polarización decrece aproximadamente en forma logarítmica (figura 10) de modo tal que se reduce rápidamente el rango de variación de: la constante dieléctrica, el factor de acoplamiento, la constante de frecuencia, etc. Con el transcurso del tiempo. 0,6 kp 0,5 PXE 3 0,4 0,3 0,2 1,0E+00 1,0E+01 1,0E+02 1,0E+03 1,0E+04 1,0E+05 Tiempo (días) Figura 10 APLICACIONES Filtros pasabanda cerámicos PXE Funcionan bajo el principio de que un cuerpo único de material puede ser usado como un elemento selectivo en frecuencia en osciladores y circuitos de filtros. Para estas aplicaciones el elmento PXE es llevado eléctricamente a frecuencia cercana a la de resonancia mecánica, en este caso se hace referencia al elemnto como resonador. El tratado siguiente se referirá a un resonador de 450 Khz. Para ser usado en filtros de FI en aparatos de radio AM. Hay sin embargo, muchos otros campos de aplicación. Funcionamiento: Los resonadores consisten en un fino disco de material cerámico con un electrodo en cada lado (figura 11). En una banda de frecuencias pequeñas (alrededor de 450 Khz) este resonador vibra preferentemente en forma radial (figura 12); en otras palabras el diámetro del disco aumenta y disminuye alternativamente. El material es polarizado en la dirección axial, es decir perpendicular a la dirección radial de excursión, de modo tal que el factor de coplamiento piezoeléctrico gobernante es el término Kp. Resonador tipo disco con un electrodo en cada lado Modo de vibración radial de un resonador tipo disco Figura 11 Figura 12 Antes que el resonador usarse, el contacto eléctrico con los electrodos debe establecerse de manera tl que la vibración mecánica del elemento PXE no se vea afectada en forma notable. El centro del disco constituye un punto nodal respecto de la excursión radial y es por esto, la posición de la cual el resonador debe ser soportado preferentemente. Un fino alambre puede ser soldado en el centro perpenduicular a la superficie, o el resonador puede sere suspendido entre dos puntos centrales de contacto. Características: Si se grafican el módulo de la impedancia y de la admitancia de un resonador piezoeléctrico (medidos cerca de la frecuencia de resonancia de la - 14 – TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA F.R.M. - U.T.N. fundamental) en un eqje de absisas versus la frecuencia, obtenemos las curvas que se muestran en la figura 13. Las frecuencias donde la impedancia pasa por un mínimo y un máximo son llamadas frecuencia resonante fr y frecuencia antiresonante fa respectivamente. La frecuencia de resonancia y la constante de frecuencia para vibraciones planas NEP están relacionadas al diámetro “D” del disco por la ecuación: fr = N E P D Curvas de Resonancia de un transductor PXE Figura 13 Una investigación más profunda de este resonador particular muestra que la impedancia cerca de las frecuencias de resonancia y antiresonancia es puramente óhmica. Los usuarios de resonadores estarán interesados en los valores de los distintos elementos del circuito equivalente, bajo la forma simple que se le ha dado en la figura 14. Dado que los 4 elementos equivalentes que constituyen el filtro piezoeléctrico, inductancia Lm, resistencia Rm y capacitores Cm y Co no existen como tales, sus valores deberán ser evaluados a partir de 4 mediciones indirectas diferentes. Estas mediciones pueden ser llevadas a cabo en diferentes formas. Un método es el de medir las siguientes cantidades: - La frecuencia de resonancia fr. La frecuencia de antiresonancia fa. La resistencia Rm a la frecuencia de resonancia. La capacidad Clf a frecuencias muy por debajo de fr (lf significa “low frecuency”). Forma simplificada del circuito equivalente de un resonador PXE Figura 14 La fr así como también la resistencia Rm en r4esonancia pueden ser medidas directamente con el circuito de la figura 15 (a) si la resistencia serie R1 es mucho mayor que la impedancia del resonador a fr. La impedancia en resonancia está representada por el resistor Rm en paralelo con el capacitor Co (figura 14) cuya impedancia es tan alta que tiene un efecto despreciable. A la frecuencia fr el voltímetro da una lectura mínima V2, de modo tal que el valor de Rm puede ser determinado de: - 15 – TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA F.R.M. - U.T.N. V2 = Rm × V1 R1 + R m La fa puede ser medida con el circuito de la figura 15 (b) bajo lacondición de que R2 sea mucho menor que la impedancia del resonador a fa. Cuando se mide la capacidad del resonador a una frecuencia muy por debajo de la frecuencia de resonancia, digamos 1 KHZ, se encuentra un valor C1f que es la suma de Co y Cm: C1 f = C 0 + C m Una vez que se han realizado las mediciones de fr, fa, Rm y C1f como se dijo, pueden ser finalmente evaluados cada uno de los 4 elementos representativos del resonador. (a) Circuito para medición de fr (b) Circuito par a medición de fa Figura 15 Ejemplo: Las mediciones efectuadas sobre unj resonador experimental de FI hecho en PXE 6 arrojo los siguientes datos: fr = 452 Khz; fa = 470 Khz; C1f = 200 pF; Rm = 25 Ω Sustituyendo estos valores en las expresiones matemáticas para el circuito equivalente del resonador obtenemos: C0 Cm = f r Cm = 2 (f 2 a − fr 2 ) = 12,3 C lf = 15,0[pF] 1 + (C 0 C m ) L m = 1 ω r × C m = 8,25[mH] 2 C 0 = C lf − C m = 185[pF] Además el factor de mérito mecánico Qm surge de: Q m = 1 ω r × C m × R m = 940 Funcionamiento de los resonadores a frecuencias más altas Como se explicó con anterioridad, un resonador de 450 Khz vibra en el modo radial. Un resonador radial hecho de menor diámetro puede en principio funcionar a frecuencias más altas. Sin embargo para su aplicación en el rango entre 5 y 15 Mhz. El radio requerido puede llegar a ser muy pequeño, esto es 560-180μm. Por esto se prefieren otros modos de vibraci ón: compresión en la dirección del espesor o el corte paralelo al espesor (figuras 16 a y b). En la figura 16 a la placa - 16 – TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA F.R.M. - U.T.N. cerámica está polarizada en la dirección del espesor (p). Los electrodos han sido colocados en las superficies inferiro y superior, el elemento se hace vibrar en la dirección del espesor (h). (a) (b) Figura 16 El espesor h del cuerpo cerámico es decisivo en la determinación de la frecuencia (para 10Mhz, h = 200μm). Para la vibración de la frecuencia de corte paralelo al espesor (figura 16 b) la placa cerámica se polariza en su propiopm plano; aquí también los electrodos se colocan en las superficies antes mencionadas. Ahora el campo excitador es perpendicular a la dirección de polarización y la placa vibra de manera tal que las superficies inferior y superior se mueven en direcciones opuestas (líneas punteadas). Nuevamente el espesor h determina la frecuencia y, en este caso, h es de alrededor de 106μm para 10 Mhz. En clara oposición al resonador radial discutido anteriormente, la dirección que determina la freciencia de la placa (h) es mucho menor que la longitud y el ancho de la placa. Cerámicas piezoeléctricas en ultrasonido Generalidades: Se entiende por ultrasonidos a una vibración de las partículas materiales a una frecuencia por encima del umbral superiror de audición humana (16 a 20KHz.) y su existencia se conoce desde 1883 por los trabajos realizados por Galton, relacionados con los límites de la audición humana. El interes práctico de la utilización de los mismos reside, bien sea en el aprovechamiento de la energía transmitida (realización de emulsiones, dispersiones, reacciones químicas, etc.) o bien en el análisis de rayo, una vez que se lo hace pasar por un medio (inspección física de metales, estudios de absorción, etc.) Cuando se utiliza un material para transmitir o recibir una onda que se propaga en otro medio, se lo llama comúnmente transductor y su construcción y acoplamiento requiere una serie de características especiales. Cuando un rayo ultrasónico pasa de un medio a otro de distinta impedancia acústica, parte de él es reflejado y la otra es transmitida, dependiendo la relación de una y otra de las impedancias acústicas de ambos medios. Por tanto si el trasnductor no está en contacto íntimo con el medio donde se desea propagar la vibración, de modoque pueda existir una película de aire entre ellos, la transmisión resulta muy incompleta o nula. En estos casios se suelen acoplar poniendo entre el transductor y el material un líquido, generalmente mercurio, aceite, glicerina o agua. Como siempre que un rayo ultrasónico pasa de un medio a otro, existe una parte reflejada y otra transmitida, si nos interesa la mayor transmisión posible, debemos acoplar el transductor con un líquido cuya impedancia acústica sea intermedia entre la de este y la del material. Par la inspección por contacto de sólidos de superficie irregular se pueden utilizar piezas intermedias que se ajusten a la superficie. Si lo que nos interesa es estudiar la energía trasnmitida a través de un material, se introduce este, generalmente, en un baño de líquido (casi siempre agua) y entre dos transductores, de los cuales uno es emisor y el otro es receptor, el cual envía la señal eléctrica producida en él por la onda ultrasónica a un adecuado dispositivo electrónico que haga posible su medida. Las aplicaciones de los ultrasonidos cubren una gama amplísima de posibilidades que abarcan desde las reacciones químicas hasta la detección de defectos y espesor en materiales metalúrgicos, en soldaduras, en la colada o pulido de metales, en procesos físicos de agitación o limpieza, en medicina, bioquímica y localización de objetos sumergidos en el agua del mar. Generadores ultrasónicos: Se entiende por generadores de ultrasonido aquellos dispositivos que pueden provocar en un determinado medio una onda ultrasónica. Podemos distinguir en ellos un elemento primario o transformador, en contacto directo con el medio, que convierte una energía dada (eléctrica, magnética o mecánica) en otra de - 17 – TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA F.R.M. - U.T.N. tipo mecánico, que se propaga en forma de onda con una frecuencia característica en el rngo ultrasónico, y por otra parte, la fuente que proporciona la energía que ha de ser transformada. Estos elementos primarios los podemos clasificar en los siguientes tipos: piezoeléctricos, magnetoestrictivos, electrostáticos, electromagnéticos, silbatos, sirenas, emisores de chispa, vibradores, emisores por frotamiento y otros especiales. Los transductores se suelen distinguir por varios factores: 1. la sensibilidad, que se valora considerando el cuarzo X con espesor adecuado par 1 MHZ. Como unidad. Los valores absolutos dependen de la presión en las superficies, la naturaleza de la señal eléctrica y la impedancia eléctrica efectiva; 2. el poder de resolución, que es directamente proporcional al ancho de banda de frecuencias. Su valor recíproco expresado en tanto por ciento es el número de ciclos que se requiere para que la vibración del cristal alcance la amplitud completa al aplicarle un voltaje de corriente alterna constante (se le designa con la letra Q). Este valor es principalmente función de la compensación o carga que frena la vibración del cristal. La sensibilidad aumenta al crecer el valor de Q. Se necesita, pues, un compromiso par alcanzar el máximo del producto sensibilidad por resolución; 3. impedancia o resistencia de radicación de los transductores, dada por una inductancia L, una resistencia R y una capacidad C, que se designan con el nombre de mocionales o de movimiento; 4. la energía que es capaz de proporcionar al medio; 5. el rango total de frecuencia en el que puede actuar. - 18 – TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA F.R.M. - U.T.N. BIBLIOGRAFÍA • PIEZOELECTRIC CERAMICS-Philips. • LOS ULTRASONIDOS-V. Almagro. - 19 –