Fundamentos de Óptica Apuntes de Óptica Curso 2008/09 TEMA 3 FUENTES DE LUZ Y EMISIÓN LÁSER Prof.Dr. E. Gómez González Departamento de Física Aplicada III E.S.Ingenieros - Universidad de Sevilla 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 1 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Tema 3: Fuentes de luz y emisión láser • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • Consideraciones cuánticas Emisión espontánea y absorción Emisión estimulada y amplificación Inversión de población Cavidad resonante y modos de funcionamiento Emisión láser Coherencia espacial y temporal Componentes generales y luz emitida Comparación con fuentes de luz convencionales (filamento, gas, halógena) Tipos de láser Láser de medio sólido (rubí) Láser de gas (He-Ne) Láser de semiconductor (GaAS) Almacenamiento óptico de información Aplicaciones en comunicaciones ópticas Otros tipos y aplicaciones. Holografía. Riesgos en el uso de fuentes de luz láser Clasificación y medidas de seguridad Exposición Máxima Permisible y Zona de Riesgo Nominal Dispositivos de protección ocular Estos Fundamentos de Óptica han sido específicamente adaptados como Apuntes para el Curso de Óptica que imparte el autor en la asignatura Campos Electromagnéticos de Ingeniería de Telecomunicación de la E.S.Ingenieros de la Universidad de Sevilla. Se recomienda su utilización combinada con los demás materiales y referencias de la asignatura. Propiedad Intelectual Estos Apuntes, así como el material contenido en ellos, están protegidos por las normas vigentes de Propiedad Intelectual y únicamente pueden destinarse al estudio personal. Para citar la información contenida en los mismos debe indicarse: Gómez González, E.: Fundamentos de Óptica: Fuentes de luz y emisión láser, Universidad de Sevilla 2006. así como los datos específicos de cada obra detallados en las Referencias indicadas entre corchetes. 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 2 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Consideraciones cuánticas • Desde el punto de vista cuántico, los electrones están alrededor de los núcleos en determinadas órbitas o niveles de energía (definidos por los números cuánticos) • En estos niveles, los electrones están en un estado estable: ni absorben ni emiten energía • Cuando un electrón “salta” de un nivel a otro se produce una radiación energética de valor ΔE = hν donde h es la constante de Planck, ν es la frecuencia de la radiación emitida y ΔE es la diferencia de energía entre los niveles • Estas radiaciones son ondas electromagnéticas propagándose con la velocidad de la luz c ≈ 3·108 m/s En el modelo corpuscular, la radiación emitida está constituida por fotones. [1] LASER = Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 3 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Emisión espontánea y absorción • En condiciones normales, la mayoría de los átomos de una población se encuentran en su estado más bajo de energía, pero el resto están excitados, con alguno de sus electrones en un nivel superior de energía. • Los átomos que se encuentran en estado excitado emiten espontáneamente fotones, volviendo al nivel energético inferior. Este proceso es aleatorio y los fotones emitidos no son coherentes, es decir, no guardan ninguna relación de fase unos con otros, denominándose emisión espontánea. • Cuando sobre un electrón incide radiación de energía ΔE, tiene lugar un proceso de absorción, promocionándose el electrón a un nivel de energía superior. Dispersión de las líneas espectrales ~ 10-11 m Emisión estimulada y amplificación • Si sobre un electrón en un estado excitado incide una radiación de energía el átomo es estimulado a emitir un fotón de la misma frecuencia y fase. Este es el proceso de emisión estimulada y al sumarse ambas radiaciones (la incidente y la emitida) tiene lugar la amplificación de la radiación. La emisión estimulada se puede producir en condiciones normales pero es un efecto muy pequeño porque hay pocos átomos en estado excitado. ΔE = hν 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 4 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Inversión de población • En un láser es necesario producir (mediante un aporte energético externo: sistema de bombeo) un estado (del medio activo) en el que el nivel superior de energía esté “superpoblado”, con más electrones que en el nivel inferior. En esas condiciones se dice que se ha conseguido una inversión de población y la probabilidad de que tenga lugar una emisión estimulada es muy alta, y se pueden obtener muchos fotones coherentes. • Es necesario un medio activo con, al menos, 3 niveles energéticos “disponibles” [1] • densidad de ocupación de niveles • probabilidades de transición • coeficientes de Einstein 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 5 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Emisión láser: resumen 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 6 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Cavidad resonante y modos de funcionamiento • La radiación debe estar confinada (“ir y volver”) en una cavidad resonante, formada por dos espejos: uno total (r = 100%) y otro parcialmente reflectante (r ~ 95 → 99.9%) cn = λ f cn = c n f = cn λ = cn m m = 1, 2, 3,... 2d Tiempo Energía (J) Ondas estacionarias: d = m λ 2 Velocidad en el medio: frecuencias de resonancia: f Potencia (W) d Modos de funcionamiento: • haz continuo (continuous wave, CW) Tiempo • pulsado (pulsed, P) • gain switched: lámpara de bombeo se enciende/apaga. Pulsos de μs / ms • Q-switched: ganancia de la cavidad en escala temporal. Pulsos de ns • Modelocked: cavidad en trayecto ida-vuelta, Pulsos de ps → fs 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 7 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Coherencia Espacial y Temporal Pulso (tren) de ondas de longitud lo, frecuencia νo y amplitud constante propagándose en OX • tiempo en pasar por un punto (tiempo de coherencia): τo • longitud de coherencia: lo τ o = lo ν o Δν ≈ anchura espectral 1 τo • Coherencia temporal ↔ monocromaticidad: Δλ/λ ≤ 10-15 • Coherencia espacial En el límite lo→∞, Δν→0 se tiene una onda monocromática 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 8 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Componentes Generales y Luz Emitida (I) Espejo parcialmente reflectante Espejo 100% reflectante Componentes Generales: • medio activo • sistema de bombeo • cavidad resonante 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) Luz emitida: • monocromática • colimada • coherente 9 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Componentes Generales y Luz Emitida (II) [1] [4] [1] Perfil de intensidad del haz • modos TEM • interesa gaussiano: TEM00 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 10 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Comparación con fuentes convencionales (I): Lámparas incandescentes [8] 1. Monocromática 2. Direccional (colimada) 3. Coherente 4. Alta irradiancia: 103 W/m2→ 1015 W/m2 Versátil: sintonizable, CW / P, … 5. 1. Múltiples longitudes de onda 2. Multidireccional 3. Incoherente 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 11 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Comparación con fuentes convencionales (II) Tubos de gas (fluorescentes) [8] 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 12 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Comparación con fuentes convencionales (III) Lámparas halógenas [12] 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 13 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Tipos de láser: los más comunes (sin incluir los de semiconductor) WAVELENGTHS OF MOST COMMON LASERS Laser Type Wavelength (μm) Laser Type Argon fluoride (Excimer-UV) Krypton chloride (Excimer-UV) Krypton fluoride (Excimer-UV) Xenon chloride (Excimer-UV) Xenon fluoride (Excimer-UV) Helium cadmium (UV) Nitrogen (UV) Helium cadmium (violet) Krypton (blue) Argon (blue) Copper vapor (green) Argon (green) Krypton (green) Frequency doubled Nd YAG (green) Helium neon (green) Krypton (yellow) Copper vapor (yellow) Key: 0.193 0.222 0.248 0.308 0.351 0.325 0.337 0.441 0.476 0.488 0.510 0.514 0.528 0.532 Wavelength (μm) Helium neon (yellow) Helium neon (orange) Gold vapor (red) Helium neon (red) Krypton (red) Rohodamine 6G dye (tunable) Ruby (CrAlO3) (red) Gallium arsenide (diode-NIR) Nd:YAG (NIR) Helium neon (NIR) Erbium (NIR) Helium neon (NIR) Hydrogen fluoride (NIR) Carbon dioxide (FIR) Carbon dioxide (FIR) 0.594 0.610 0.627 0.633 0.647 0.570-0.650 0.694 0.840 1.064 1.15 1.504 3.39 2.70 9.6 10.6 0.543 0.568 0.570 UV = ultraviolet (0.200-0.400 µm) VIS = visible (0.400-0.700 µm) NIR = near infrared (0.700-1.400 µm) 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 14 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Láser de medio sólido (rubí, T.Mainman, 1960) Rubí: Al2O3 + Cr ~10-3 λ = 694.3 nm bombeo óptico: Xe Pulsos ~ 5 J ( ~ 1012 W) c Diámetro ~ 0.5 cm Longitud ~ 5 cm [1] [1] Nd:YAG Nd:YLF Ti:Sapphire λ ~ 1064 nm (doubled) λ~ 527 nm Rojo Aplicaciones: • I+D (fusión, …) • materiales, … 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 15 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Láser de Gas (He-Ne) • He:Ne = 7:1 (Presión = 1 torr) λ = 632.8 nm, P~mW colisiones inelásticas / excitación electores códigos barras, … e- [1] • Ar+: λ ~ 515 nm, P~10 W aplicaciones médicas • He-Cd: λ ~ 442 nm, P~10 mW análisis ambiental (polución, …) • CO2: λ ~ 10.2 μm, P~ kW cortes, taladros, 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 16 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Láser de semiconductor (GaAs) ILD = Injected Laser Diode • λ ± Δλ • densidad de corriente • Pulsado / Continua modulable hasta 1012 Hz ancho de pulso ~ 100 ns • Energía: 30 mJ per pulse @ 1 kHz • Potencia media < 50 W @ 3 kHz • Divergencia angular ~ 20 urad (r = 100%) (r = 99.9%) [1] • GaAs: λ ~ 690 / 870 nm comunicaciones / imagen alta velocidad • GaN (ILD): λ ~405-410 nm, P~30 mW DVD blu-ray disc • AlGaInP (ILD) λ ~635→670 nm, P~220 mW LED = Ligth Emitting Diode CD-ROM • AlGaAs (ILD) Otros semiconductores: λ ~780→830 nm, P~220 mW CD-R/RW IR → UVA 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 17 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Fundamentos Almacenamiento óptico de información (I) Reflexión difusa Reflexión especular 1950 – discos magnéticos 1970 – videodiscos: audio A 1980 – CD: audio D - CD-ROM: audio + datos 2000 – DVD blu-ray disc ¡ no tocar ! normal arañazo polvo 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) polvo grasa de transparente huella 18 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Almacenamiento óptico de información (II) Tipos Disco WORM (write once, read many) - película (aleación) de Te, Sn y Pb sobre disco de Al o cristal + capa protectora ablación láser cambio de reflectividad (R) Almacenamiento Regrabable por cambio de fase - mismo disco Te: cambio de fase a T ambiente: policristalino (R↑) → amorfo (R↑) calentamiento + enfriamiento CAPACIDAD: CD “convencional” = 5.25” ¾ con λ~800 nm → 17 MB/cm2 → 650 MB ¾ con λ~410 nm →387 MB/cm2 → 4.7 GB !!! blu-ray disc 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 19 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Lectura de las señales Almacenamiento óptico de información (III) d Señales débiles → profundidad de las marcas elegida tal que sea d = (1/4) λ → diferencia marca / “no marca” tiene ∆Φ = λ/2 Ej.: CD con λ = 780 nm. Disco recubierto con una capa de índice de refracción 1.50. ¿cuál debe ser la profundidad de las marcas? Sol.: 130 nm ¡ interferencia destructiva en detector ! 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 20 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Realimentación para alineamiento Almacenamiento óptico de información (IV) El láser debe seguir con precisión las pistas en espiral, separadas ~ 1.25μm → mecanismo de realimentación para saber si se desvía: → RED DE DIFRACCIÓN: - lectura: máximo central fuerte - 2 máximos de primer orden en las superficies planas inter-pistas → cte Ej.: CD con λ=780 nm y red de difracción situada a 6.90 μm del disco. Si los haces de primer orden deben incidir a 0.400 μm de la pista → la red debe tener 74.2 líneas/mm 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) [7] 21 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Almacenamiento óptico de información (V): disco magneto-óptico Escritura I↑ I↓ I↑ Almacenamiento Regrabable magneto-óptico enfriamiento - película (aleación) de metales/tierras raras: TbFeCo inicial: dominios orientados → desmagnetización → reorientación (0/1) → dominios reorientados Campo débil: B~300 G Calentamiento (temperatura de Curie, T ) C Campo alto: B ~ kG estado ferromagnético → estado no ferromagnético 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 22 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Almacenamiento óptico de información (VI): disco magneto-óptico Lectura Lectura: efecto Kerr (magneto-óptico): conversión de luz polarizada linealmente en luz polarizada elípticamente por reflexión en material ferromagnético Luz polarizada incidente (~2 mW) sobre material ferromagnético (M): el plano de polarización gira un cierto ángulo θ= θ(M) ~ 0.5o -1o ↔ SNR << → detección diferencial: +/- θ → IA/ IB Ej.: La superficie del disco se mueve con velocidad ~ 1 m/s respecto al haz láser y cada marca es un cilidro de L ~ 1 μm y R ~ 1 μm. El material ferromagnético tiene temperatura de Curie TC = 600 K, calor específico ce = 300 J/(K oC) y densidad ρ = 2·103 kg/m3 → el haz láser debe producir una irradiancia I ~ 108 W/m2 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 23 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Aplicación en comunicaciones ópticas 0,6 0,5 0,4 1550 window 0,3 0,2 1310 window 0,1 1100 1300 1500 1700 λ 1900 Wavelength Pérdidas en fibra óptica: ventanas en el IR Interés para comunicaciones ópticas: • láseres pulsados: alta velocidad de transmisión • sintonizables: aprovechar las ventanas 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 24 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Otros tipos y aplicaciones Líquidos: colorante (dye) sintonizable: λ= 540→640 nm P ~ 100 mW Láser de electrones libres Alta potencia Resonadores EM λ ~ 13 nm Energy Source Otros tipos • gel • químicos • nucleares •… Aplicaciones • industriales: corte, soldadura, … • análisis químico / ambiental: LIDAR • medicina: cirugía • bio-óptica: inducción / marcado de fluorescencia … •… 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 25 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Holografía: registro y visualización de imágenes verdaderamente 3D Registro: Se graba un patrón de interferencia: Visualización: Se reconstruyen los frentes de onda en amplitud, frecuencia y fase (tal y como procedían del objeto) haz de referencia + haz procedente del objeto 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 26 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Riesgos en el uso de fuentes de luz láser 1. 2. 3. 4. 5. Ocular: La exposición aguda (“puntual”) a algunas longitudes de onda (290-400nm) y/o potencias puede causar quemaduras en la córnea, la retina o ambas. La exposición crónica (“prolongada”) a niveles excesivos puede causar opacidad en la córnea o en el cristalino (cataratas) o daño retinal. La franja de daño retinal es de 400-1400 nm. Los efectos visuales pueden no ser evidentes hasta que el nivel de daño térmico sea muy alto. La exposición al láser Nd:YAG Q-switched (1064 nm) es particularmente peligrosa. Dérmico: La exposición aguda a altos niveles de radiación óptica puede causar quemaduras en la piel. Para potencias 1 W - 5 W el daño inicial es superficial. Para potencias superiores el daño profundo es inmediato. La carcinogénesis puede ocurrir para longitudes de onda ultravioleta (290-320 nm). Químico: Algunos láseres necesitan sustancias peligrosas o tóxicas para su funcionamiento (p.ej.: láseres de colorante o láseres de excímero). Los láseres pueden inducir reacciones químicas con liberación de productos peligrosos gaseosos (p.ej. flúor). Eléctrico: La mayoría de los láseres utilizan fuentes de alto voltaje que pueden ser letales. Fuentes defectuosas de >15 kV pueden emitir rayos-X. Incendio: Los disolventes utilizados en los láseres de colorante son inflamables. Las lámparas de flash o de alto voltaje puede ocasionar ignición. Los materiales inflamables pueden entrar en ignición debido a incidencia directa o reflexiones especulares de láseres infrarrojos continuos de alta potencia. 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 27 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Clasificación de los láseres y sus medidas de seguridad Los láseres se clasifican por su potencial de riesgo basado en su emisión óptica Las medidas de seguridad necesarias vienen determinadas por esta clasificación De esta manera, no se imponen restricciones innecesarias en el uso de dispositivos fabricados para uso seguro En EE.UU la clasificación de los láseres se basa en American National Standards Institute’s (ANSI) Z136.1 Safe Use of Lasers En Europa / España se siguen normas análogas: EN 60825 (2001) y otras ¡¡ CONSULTARLAS SIEMPRE!! Reflexión especular Reflexión difusa Importancia de la reflexión especular o difusa Una superficie puede ser rugosa → reflexión difusa para luz visible pero ¡ especular ! para la luz IR (10.6 μm) de un láser de CO2 Los criterios de clasificación de los láseres son los siguientes: 1. Longitud de Onda. Si el láser se ha diseñado para emitir en múltiples longitudes de onda, la clasificación se basa en aquella más peligrosa 2. Para clasificar los láseres de onda continua (continuous wave, CW) o los láseres pulsados repetitivos se consideran la potencia promedio de salida (average power output) (en Watts) y el tiempo de exposición límite (limiting exposure time) inherentes al diseño. 3. Para clasificar los láseres pulsados se consideran la energía total por pulso (total energy per pulse) (en Julios), la duración del pulso (pulse duration), la frecuencia de repetición de pulsos (pulse repetition frequency) y la exposición radiante del haz emergente (emergent beam radiant exposure). 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 28 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Clasificación ANSI: • Clase 1 denota láseres o sistemas láser que, en condiciones normales de operación, no suponen ningún riesgo. • Clase 2 denota láseres visibles de baja potencia o sistemas láser que, debido a la respuesta normal del sistema visual humano (parpadeo, movimiento ocular, …) normalmente no representan riesgo pero que pueden presentar potencial de riesgo si inciden en el ojo directamente durante periodos prolongados de tiempo (como muchas fuentes de luz convencionales). • Clase 3a denota algunos láseres o sistemas láser con una etiqueta de PRECAUCIÓN (CAUTION) que normalmente no causarían daño ocular si se ven únicamente con el ojo desnudo durante períodos momentáneos de tiempo (dentro del período de respuesta –aversión- ocular) pero que pueden presentar un riesgo mayor si se ven utilizando elementos ópticos concentradores (p.ej. lentes). Los láseres de la Clase 3a tienen etiquetas de PELIGRO (DANGER) si pueden exceder los niveles permisibles de exposición. Si se utilizan con precaución, los láseres de la Clase 3a poseen un riesgo bajo de daño. • Clase 3b denota láseres o sistemas láser que pueden producir daño si se ven directamente. Esto incluye la visión directa de reflexiones especulares. Normalmente, los láseres de Clase 3b no producen reflexión difusa peligrosa. • Clase 4 denota láseres y sistemas láser que producen daño no solamente por las reflexiones directas o especulares, sino que también pueden producir riesgo significativo en la piel así como riesgo de incendio. Ej. 4 Un puntero láser consta de un láser de semiconductor de P = 3 mW que forma un punto de 2 mm de diámetro sobre la pantalla I= P P = = ... = 9.6 ⋅102 W m 2 ∼ 103 W m 2 2 A πR ¡¡ irradiancia del sol a nivel del mar !! ¡¡ límite máximo del reflejo de parpadeo !! ¡Atención al desmontar carcasas! ↔ ¡¡ puede cambiar la CLASE !! 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 29 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Precauciones y Medidas de Seguridad El Etiquetado debe indicar • punto / dirección de salida del haz • tipo (gas / diodo / iones / …) • modo (continuo / pulsado) • energía y frecuencia de pulsos / potencia • longitud de onda (y si es invisible) • Clase • advertencias (para piel y ojos) según Clase • [norma legal de referencia] • advertencias según sustancias (tóxicas, inflamables, …) y mecanismo de excitación (riesgo eléctrico, …) 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 30 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Exposición Máxima Permisible (Maximum Permissible Exposure, MPE) La MPE se define en ANSI Z-136.1 como “El nivel de radiación láser al que una persona puede estar expuesta sin sufrir efectos peligrosos o cambios biológicos adversos en el ojo o en la piel“. La MPE no es una “línea de diferenciación” entre una exposición segura y una peligrosa, sino que representa los niveles máximos que, según el acuerdo de los expertos, pueden ser ocupacionalmente seguros para exposiciones repetidas. La MPE, expresada en [J/cm2] or [W/cm2], depende de los parámetros del láser: • longitud de onda • duración de la exposición / Frecuencia de Repetición de Pulsos (Pulse Repetition Frequency, PRF), • naturaleza de la exposición: directa, reflexión especular o difusa Zona de Riesgo Nominal (Nominal Hazard Zone, NHZ) En algunas aplicaciones se requiere disponer de haces expuestos o “al aire” (open beams), siendo necesario definir el área de radiación láser potencialmente peligrosa. Este área se llama ZONA DE RIESGO NOMINAL (nominal hazard zone, NHZ) y se define como el espacio dentro del cual el nivel de radiación láser directa, dispersada o reflejada excede la MPE. El objetivo de la NHZ es definir el área en la cual se requieren medidas de control y seguridad. Debe estar adecuadamente señalizada. Dispositivos de protección ocular para láser (laser safety eyewear) 1. Los dispositivos de protección ocular deben estar disponibles y ser utilizados por todo el personal dentro de la NHZ de los láseres de Clase 3b y Clase 4 donde puedan ocurrir exposiciones que superen la MPE. 2.El factor de atenuación (densidad óptica) de los dispositivos de protección visual debe ser especificado, para cada longitud de onda, por el Funcionario de Seguridad Láser (Laser Safety Officer LSO). 3.Todos los dispositivos de protección visual láser deben estar claramente etiquetados con la densidad óptica y la longitud de onda para la que ofrecen protección. Esto es especialmente importante en las áreas donde existan múltiples sistemas láser. 4. Los dispositivos de protección visual láser deben inspeccionarse, por si presentan daños, previamente a su uso. 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 31 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA Factores a considerar al seleccionar los dispositivos de protección ocular Los protectores oculares se fabrican en polímeros o cristales con un absorbente: 1. Los protectores específicos para una longitud de onda no sirven para otra (aunque sean próximas). 2. El fabricante debe señalar el tiempo máximo de resistencia (del protector) a la exposición indicando: - modo continuo: potencia y número máximo de segundos - modo pulsado: número máximo de pulsos / frecuencia y energía/pulso 3. El material absorbente se degrada con el tiempo: ¡¡ caducidad !! 4. Deben permitir el máximo de visión (mínima atenuación) en el resto del espectro visible. Para la mayoría de las aplicaciones, no deben atenuar por completo el láser para permitir ver la localización del haz. 5. Otros: ángulo de visión y visión periférica, atenuación en otras longitudes de onda, posibilidad de llevar gafas de corrección oftálmica simultáneas, resistencia a impactos y salpicaduras, peso y comodidad. Tipos (comunes) de protectores oculares Full-view spectacles (gafas de campo completo) Goggles (gafas “submarinas”) Lightweight spectacles (gafas ligeras) wrap-around spectacles (gafas envolventes) 2º Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS – ÓPTICA (TEMA 3 – Fuentes de luz y emisión láser) 32 © E.G.G. DFA III-ESI 2008/09 UNIVERSIDAD DE SEVILLA