Deposito de Peliculas Delgadas en Alto Vacio (Sputtering)

Depósito de Películas Delgadas
en Alto Vacío (Sputtering)
Micro y Nanotecnologías
www.nanocentro.ipn.mx
Aplicaciones
Características
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Esquema de depósito
Plasma
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Película de
Polisilicio
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Polisilicio (poly-Si)
Gráfica tiempo vs.
espesor del depósito
Depósitos de películas en modo
DC (Corriente Directa) para
metales y materiales conductores
y en modo RF (Radiofrecuencia)
para materiales semiconductores,
aislantes y dieléctricos.
El equipo cuenta con 4
magnetrones.
Cuenta con dos fuentes DC (350
W máx.) y dos de RF (300 W máx)
y pueden realizarse depósitos en
RF y DC al mismo tiempo.
Se puede realizar Sputtering
reactivo.
Se pueden realizar hasta 3
depósitos por día.
La velocidad del depósito
depende del material a depositar.
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Fabricación de celdas solares
y dispositivos electrónicos.
Microprocesadores.
Termopilas
Depósito de
Cobre para
fabricación de
MEMS
Resultados
Descripción
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El Sputtering es una técnica versátil que permite depositar películas
delgadas (nanométricas) de cualquier tipo de material ya sea
conductor o no conductor. En este proceso se pulverizan los átomos
de un material sólido (blanco-cátodo) mediante el bombardeo de
iones provenientes de un plasma creado a partir de Argón. Las
partículas pulverizadas del blanco se depositan sobre un sustrato
(ánodo) generalmente de silicio o vidrio.
Obtención de películas delgadas de
10 hasta 1000 nm de materiales
conductores como Bismuto (Bi),
Constatan (Cu-Ni) para termopilas.
Depósito de películas delgadas de
materiales dieléctricos como Óxido
de Silicio (SiO2) y semiconductores
como Óxido de Zinc (ZnO) para
fabricación de transistores de
película delgada
Sputtering
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