Introducción Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayoría de los BJT modernos están compuestos de silicio. Actualmente, una pequeña parte de éstos (los transistores bipolares de heterojuntura) están hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad. El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar. Estructura Transistor Bipolar El transistor de unión bipolar (también conocido por sus siglas BJT) se trata de un dispositivo electrónico sólido, formado por 2 uniones PN próximas entre ellas que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. Se le llama bipolar porque la conducción es debida al desplazamiento de portadores de 2 polaridades (huecos: positivos; electrones: negativos). Este tipo de dispositivo es utilizado para un gran número de aplicaciones, principalmente en electrónica analógica y digital con tecnología TTL o BICMOS, a pesar de tener una gran limitación debido a su impedancia de entrada muy baja. Su composición está basada en 2 uniones PN en un cristal semiconductor, separados por una fina franja, delimitando dentro del mismo 3 regiones: • Emisor: que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Tipo P. • Base: la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Tipo N. • Colector: de extensión mucho mayor. Tipo P La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unión base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusión de los electrones.
