Guia de examen para la Unidad 1

GUIA DE ESTUDIOS PARA EL EXAMEN DE LA PRIMERA UNIDAD
A APLICARSE EL SABADO 2 DE AGOSTO DEL 2014 DE 11: 00 A 12:30
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PREGUNTAS DE FALSO O VERDADERO DE FISICA DE LOS SEMICONDUCTORES:
1. Un átomo es la partícula más pequeña en un elemento.
2. Un electrón es una partícula cargada negativamente.
3. Un átomo está compuesto por electrones, protones y neutrones.
4. Los electrones son una parte del núcleo de un átomo.
5. Los electrones de valencia existen en la capa externa de un átomo.
6. Se forman cristales mediante el enlace de átomos.
7. El silicio es un material semiconductor.
8. Todos los diodos tiene una unión pn.
9. Las regiones p y n en un diodo se forman mediante un proceso llamado ionización.
10. Las dos regiones de un diodo son el ánodo y el colector.
11. Un diodo puede conducir corriente en dos direcciones con igual facilidad.
12. Un diodo conduce corriente cuando está polarizado en directa.
13. Cuando está polarizado en inversa, un diodo idealmente aparece como un corto.
14. Dos tipos de corriente en un diodo son la de electrones y la de hueco
15. Un rectificador de media onda básico se compone de un diodo.
16. La frecuencia de salida de un rectificador de media onda es dos veces la frecuencia de
entrada.
17. El diodo en un rectificador de media onda conduce durante la mitad del ciclo de entrada.
18. PIV significa voltaje de pico inverso.
19. Cada diodo en un rectificador de onda completa conduce durante todo el ciclo de entrada.
20. La frecuencia de salida de un rectificador de onda completa es dos veces la frecuencia de
entrada.
21. Un rectificador de puente utiliza cuatro diodos.
22. En un rectificador de puente, dos diodos conducen durante cada semiciclo de la entrada.
23. El propósito del filtro con capacitor en un rectificador es convertir ca en cd.
24. El voltaje de salida de un rectificador filtrado siempre tiene algo de voltaje de rizo.
25. Un capacitor de filtrado más pequeño reduce el rizo.
26. La regulación de línea y la regulación de carga son lo mismo.
27. Un limitador con diodos también se conoce como recortador.
28. El propósito de un sujetador es eliminar un nivel de cd de una forma de onda.
29. Los multiplicadores de voltaje utilizan diodos y capacitor
TRANSISTORES
30. Un transistor de unión bipolar tiene tres terminales.
31. Las tres regiones de un BJT son la base, el emisor y el cátodo.
32. Para que opere en la región lineal o activa, la unión base-emisor de un transistor se polariza
en directa.
33. Dos tipos de BJT son el npn y el pnp.
34. La corriente en la base y la corriente en el colector son aproximadamente iguales.
35. La ganancia de voltaje de cd de un transistor se expresa como βCD
38. Corte y saturación son los dos estados normales de un amplificador lineal con transistores.
39. Cuando un transistor está en saturación, la corriente en el colector es máxima.
40. ΒCD y HFE son dos parámetros de transistor diferentes.
41. La ganancia de voltaje de un amplificador con transistor depende del resistor en el colector
y la resistencia de ca interna.
42.Amplificación es el voltaje de salida dividido entre la corriente de entrada.
43. Un transistor en estado de corte actúa como interruptor abierto
PREGUNTAS DE OPCION MULTIPLE
1.- Cuando un diodo está polarizado en directa y el voltaje de polarización se incrementa, la
corriente de polarización en directa:
(a) se incrementa
(b) se reduce (c) No cambia
2. Cuando un diodo está polarizado en directa y el voltaje de polarización se incrementa, el
voltaje a través del diodo (de acuerdo con el modelo práctico):
(a) se incrementa
(b) se reduce (c) No cambia
3. Cuando un diodo está polarizado en inversa y el voltaje de polarización se incrementa, la
corriente en inversa (de acuerdo con el modelo práctico):
(a) se incrementa (b) se reduce (c) No cambia
4. Cuando un diodo está polarizado en inversa y el voltaje de polarización se incrementa, la
corriente (de acuerdo con el modelo completo):
(a) se incrementa (b) se reduce (c) No cambia
5. Cuando un diodo está polarizado en directa y el voltaje de polarización se incrementa, el
voltaje a través del diodo (de acuerdo con el modelo completo):
(a) se incrementa b) se reduce (c)No cambia
6. Si la corriente de polarización en directa en un diodo se incrementa, el voltaje en el diodo (de
acuerdo con el modelo práctico):
(a) se incrementa (b) se reduce (c) No cambia
7. Si la corriente de polarización en directa en un diodo se reduce, el voltaje en el diodo (de
acuerdo con el modelo completo):
(a) se incrementa (b) se reduce (c) No cambia
8. Si se excede el potencial de barrera de un diodo, la corriente de polarización en directa:
(a) se incrementa
(b) se reduce
(c) No cambia
9. Los electrones de valencia están
(a) En la órbita más cercana al núcleo (b) En la órbita más distante del núcleo
(c) En varias órbitas alrededor del núcleo (d) No asociados con un átomo particular
10. Un ion positivo se forma cuando
(a) Un electrón se escapa del átomo (b) Hay más huecos que electrones en la órbita externa
(c) Dos átomos se enlazan entre sí (d) Un átomo adquiere un electrón de valencia extra
11. El material semiconductor más utilizado en dispositivos electrónicos es el
(a) Germanio (b) Carbón (c) Cobre (d) Silicio
10. La diferencia entre un aislante y un semiconductor es
(a) Una banda prohibida más amplia entre la banda de valencia y la banda de conducción
(b) El número de electrones libres (c) La estructura atómica (d) Respuestas a), b) y c)
11. La banda de energía en la cual existen los electrones libres es la
(a) Primera banda (b) Segunda banda (c) Banda de conducción (d)Banda de valencia
12. En un cristal semiconductor, los átomos se mantienen unidos por
(a) La interacción de los electrones de valencia (b) Las fuerzas de atracción
(c) Los enlaces covalentes (d) Respuestas a), b) y c)
13. El número atómico del silicio es
(a) 8
(b) 2 (c) 4 (d) 14
14. El número atómico del germanio es
(a) 8 (b) 2 (c) 4 (d) 32
15. Cada átomo de un cristal de silicio tiene
(a) Cuatro electrones de valencia (b) Cuatro electrones de conducción
(c) Ocho electrones de valencia, cuatro propios y cuatro compartidos
(d) Ningún electrón de valencia porque todos son compartidos con otros átomos
16. Los pares de electrón-hueco se producen por
(a) Recombinación (b) Energía térmica (c) Ionización (d) Dopado
17. Ocurre recombinación cuando
(a) Un electrón cae en un hueco (b) Un ion positivo y ion negativo se enlazan
(c) Un electrón de valencia se convierte en un electrón de conducción
(d) Se forma un cristal
18. La corriente en un semiconductor es producida por
(a) Sólo electrones (b) Sólo huecos (c) Iones negativos
huecos
(d) Tanto electrones como
17. El proceso de agregar impurezas a un semiconductor intrínseco se llama
(a) Dopado (b) Recombinación (c) Modificación atómica (d) Ionización
18. Se agregan impurezas trivalente al silicio para crear
(a) Germanio (b) Un semiconductor tipo p (c) Un semiconductor tipo n (d) Una región de
empobrecimiento
19. El propósito de una impureza pentavalente es
(a) Reducir la conductividad del silicio (b) Incrementar el número de huecos
(c) Incrementar el número de electrones libres (d) Crear portadores minoritarios
20. Los portadores mayoritarios en un semiconductor tipo n son (a) Huecos
(b) Electrones de valencia (c) Electrones de conducción (d) Protones
21. Los huecos en un semiconductor tipo n son
(a) Portadores minoritarios producidos térmicamente
(b) Portadores minoritarios producidos por dopado
(c) Portadores mayoritarios producidos térmicamente
(d) Portadores mayoritarios producidos por dopado
DIODOS
22. Para polarizar en directa un diodo
(a) Se aplica un voltaje externo positivo en el ánodo y negativo en el cátodo
(b) Se aplica un voltaje externo negativo en el ánodo y positivo en el cátodo
(c) Se aplica un voltaje externo positivo en la región p y negativo en la región n
(d) Respuestas a) y c)
23. Cuando un diodo está polarizado en directa
(a) La única corriente es la de huecos
(b) La única corriente es la de electrones
(c) La única corriente es la producida por los portadores mayoritarios
(d) La corriente es producida tanto por los huecos como por los electrones
24.- Aunque la corriente está bloqueada con polarización en inversa
(a) Hay algo de corriente debido a los portadores mayoritarios
(b) Hay una corriente muy pequeña debido a los portadores minoritarios
(c) Hay una corriente de avalancha
25. Para un diodo de silicio, el valor del voltaje de polarización en directa en general
(a) Debe ser mayor que 0.3 V (b) Debe ser mayor que 0.7 V
(c) Depende el ancho de la región de empobrecimiento
(d) Depende de la concentración de portadores mayoritarios
26. Cuando se polariza en directa un diodo
(a) Bloquea la corriente (b) Conduce corriente (c) T iene una alta resistencia
(d) Reduce un voltaje grande
27. Un diodo opera normalmente en:
(a) La condición de ruptura con polarización en inversa. (b) La región de polarización en
directa. (c) La región de polarización en inversa. (d) Respuesta b) o (c).
28. Idealmente, un diodo puede ser representado por:
(a) Una fuente de voltaje (b) Una resistencia (c) Un interruptor (d) Todas las anteriores
29. Cuando un diodo de silicio funciona apropiadamente, un DMM puesto en la posición
prueba de diodo indicará:
(a) 0 V
(b) OL
(c) Aproximadamente 0.7 V (d) Aproximadamente 0.3 V
30. Cuando un diodo de silicio está abierto, un DMM indicará en general:
(a) 0 V (b) OL (c) Aproximadamente 0.7 V (d) Aproximadamente 0.3v
31. Determine como están polarizados los siguientes diodos.
TRANSISTORES
32. Las tres terminales de un transistor de unión bipolar se llaman
(a) p, n, p (b) n, p, n
(c) entrada, salida, tierra (d) base, emisor, colector
33. En un transistor pnp, las regiones p son
(a) base y emisor (b) base y colector (c) emisor y colector
34. Para que opere como amplificador, la base de un transistor npn debe estar
(a) positiva con respecto al emisor (b) negativa con respecto al emisor
(c) positiva con respecto al colector (d) 0 V
35. La corriente en el emisor siempre es
(a) mayor que la corriente en la base (b) menor que la corriente en el colector
(c) mayor que la corriente en el colector (d) respuestas a) y c)
36. La βcd de un transistor es su
(a) ganancia de corriente (b) ganancia de voltaje (c) ganancia de potencia
(d) resistencia interna
37. Si IC es 50 veces más grande que IB , entonces βCD es
(a) 0.02 (b) 100
(c) 50 (d) 500
38. El voltaje aproximado a través de la unión base-emisor polarizada en directa de un BJT de
silicio es,
(a) 0 V (b) 0.7 V (c) 0.3 V (d) VBB
39. La condición de polarización de un transistor que va a ser utilizado como amplificador
lineal se llama
(a) directa-inversa (b) directa-directa (c) inversa-inversa (d) polarización de colector
40.-Si la salida de un amplificador con transistor es de 5 V rms y la entrada de 100 mV, la
ganancia de voltaje es
(a) 5 (b) 500 (c) 50 (d) 100
41. La ganancia de voltaje de un amplificador con transistor es de 50. ¿Cuál es el voltaje de
salida cuando
el voltaje de entrada es de 100 mV?
42. Para obtener una salida de 10 V con una entrada de 300 mV, ¿qué ganancia de voltaje se
requiere?