Memoria SIMM SIMM o Single in-line Memory Module (módulo de

Memoria SIMM
SIMM o Single in-line Memory Module (módulo de memoria en línea simple),
pequeña placa de circuito impreso con varios chips de memoria integrados.
Vinieron a sustituir a los SIP, Single in-line Package (encapsulado en línea
simple), chips de memoria independientes que se instalaban directamente sobre la
placa base. Los SIMM están diseñados de modo que se puedan insertar fácilmente
en la placa base de la computadora, y generalmente se utilizan para aumentar la
cantidad de memoria RAM. Se fabrican con distintas capacidades (4Mb, 8Mb,
16Mb...) y con diferentes velocidades de acceso. En un principio se construían
con 30 contactos y luego aparecieron los de 72 contactos. Recientemente se han
desarrollado módulos de memoria DIMM, Dual in-line Memory Module (módulo
de memoria en línea doble), con 168 contactos, que presentan un doble número de
vías de comunicación entre el módulo y la placa base, al poder utilizar de manera
independiente cada lado del conector; su manejo resulta más sencillo, ya que se
pueden emplear de forma aislada, mientras que los SIMM se utilizan por pares.
En los ordenadores portátiles se usan unos módulos de memoria de perfil muy
fino denominados SO-DIMM, Small Outline DIMM.
Memoria DIMM
Dimm o de Dual In-line Memory Module, (módulo de memoria en línea doble).
Hace referencia a su sistema de comunicación con la placa base, que se gestiona
en grupos de datos de 64 bits, en contraposición con los módulos SIMM (Single
In-line Memory Module, módulo de memoria en línea simple), que usan una vía
simple y sólo transfieren 32 bits de datos cada vez. Se fabrican con 168 contactos
en sus conectores de anclaje con la placa base; también suele ser habitual disponer
de cuatro o más conectores, pudiendo utilizarse uno o varios de ellos, mientras
que los módulos SIMM deben ir por parejas, además de tener anclajes
incompatibles, que son de 30 o 72 contactos. Esto determina que la mayoría de las
placas base puedan utilizar módulos de uno u otro tipo, pero no ambos.
La extensión en el uso de los módulos DIMM ha coincidido con un aumento muy
sustancial de la capacidad de memoria: actualmente están disponibles de 64, 128,
256 y 512 MB (megabytes) y de 1, 2 o más gigabytes.
Los módulos de memoria denominados DDR DIMM (Double Data Rate DIMM,
módulos DIMM de doble velocidad de transferencia de datos), han ido
sustituyendo paulatinamente a los módulos DIMM estándar a partir del año 2000;
tienen la ventaja de doblar la velocidad con que se transfieren los datos a la placa
principal. Así, los valores estándar de 100 y 133 MHz, se convertirán en un
módulo DDR en 200 y 266 MHz, respectivamente.
¿Porqué la transición de SIMM a DIMM?
Los SIMM de 72 contactos transmiten datos 32 bits a la vez mientras que los
DIMM de 168 contactos transmiten datos 64 bits a la vez. Cuando los sistemas
progresaron a un ancho de bus de 64 bits, resultó más razonable utilizar los
DIMM que los SIMM como el factor de forma de memoria estándar. La
tecnología SDRAM en sí no tiene nada que ver con la transición de SIMM a
DIMM; es solamente que la transición de EDO a la tecnología SDRAM y la
transición de SIMM a DIMM sucedió casi al mismo tiempo.
RIMM
RIMM: módulo de memoria RDRAM (Rambus Son los módulos de memoria,
sustituyen a los actuales DIMM, y son una continuación del canal; el canal entra
por un extremo del RIMM y sale por el otro. Los RIMM tienen el mismo tamaño
que los DIMM y han sido diseñados para soportar SPD, (Serial Presence Detect).
También hay RIMM de doble cara o de una cara, y pueden tener cualquier número
de chips hasta el máximo de 32 soportados por canal. Hay módulos de 64Mb,
128Mb y 256Mb, la máxima cantidad total de memoria va desde los 64Mb hasta
1Gb por canal.
Podemos instalar dos repetidores para aumentar el número de conectores, y así
aumentar el numero de RIMMs, con un repetidor aumentamos a 6 conectores y
con dos repetidores aumentamos a 12 conectores.
Factores Característicos de la memoria SIMM, DIMM, RIMM
Integridad de datos
Uno de los aspectos en el diseño de la memoria implica el asegurar la integridad
de los datos en ella almacenados. Actualmente, existen dos métodos principales
para asegurar la integridad de los datos:
1. Paridad: ha sido el método más común usado hasta la fecha. Este proceso
consiste en añadir un bit adicional por cada 8 bits de datos. Este bit adicional nos
indica si el número de unos es par o impar (igual se puede hacer con los ceros. A
esto se denomina criterio de paridad par o impar).
2. Códigos de Corrección de Errores (ECC): Es un método más avanzado de
control de la integridad de los datos que puede detectar y corregir errores en bits
simples.
Debido a la competencia de precios, la norma más habitual es la de no introducir
métodos de control de la integridad de los datos en la memoria, siendo más caros
aquellos módulos que sí incluyen alguno de estos dos métodos de control de
errores.
El controlador de memoria
También conocido como MMU (Memory Manager Unit, unidad de manejo de
memoria), es un componente esencial en cualquier ordenador. Simplemente es un
chip (actualmente suele venir integrado como parte de otro chip o del
microprocesador) cuya función consiste en controlar el intercambio de datos entre
microprocesador y memoria. El controlador de memoria determina el
funcionamiento del control de errores, si es que existe.
Es muy importante determinar la necesidad de introducir o no un sistema de
memoria con control de integridad. Generalmente esto se implementa en grandes
servidores y ordenadores de alto rendimiento donde la integridad de datos es un
factor importante.
Control de Paridad
Cuando se implementa un sistema de paridad en un sistema informático, se
almacena un bit de paridad por cada 8 bits de datos. Existen dos métodos de
control de paridad: paridad par y paridad impar, dependiendo de que aquello que
se controle sea el número de ceros o de unos en cada grupo de ocho bits en
memoria. El método de control de paridad tiene sus limitaciones. Por ejemplo, un
sistema de control de paridad, puede detectar errores, pero no corregirlos. Incluso
puede darse el caso de que varios bits sean erróneos y el sistema no detecte error
alguno.
ECC
Este es un método que se implementa en grandes servidores y equipos de altas
prestaciones. La importancia de este método es que es capaz de detectar y corregir
errores de 1 bit. Todo esto ocurre sin que el usuario tenga constancia de ello.
Cuando se detectan múltiples errores en varios bits, el sistema acaba por devolver
un error de paridad en memoria.
Introducción
Las memorias SIMM, DIMM, DDR y RIMM están enfocadas principalmente para
aumentar la capacidad de memoria en una PC principalmente en la memoria
RAMM, este tipo de memorias son pequeñas placas de circuitos impresos con
varios chips de memoria integrados. Que se instalan directamente sobre la placa
base se puedan insertar fácilmente; se fabrican con distintas capacidades y
distintas velocidades.
Esto aumenta considerablemente el proceso de una computadora y el
almacenamiento de la información en la memoria RAMM.
Conclusiones
Gracias a este tipo de memorias la capacidad de las computadoras aumenta
considerablemente es una memoria auxiliar que permite aumentar la velocidad y
la capacidad de la memoria RAMM, y agiliza los procesos de la información.
La Evolución de estas tarjetas sigue en aumento cada vez la tecnología es mas
grande y con ello este tipo de memorias tienen que ir cambiando y aumentando su
capacidad, su velocidad y rendimiento, para ello se han estado creando nuevos
diseños que marcaran la pauta sobre la información automatizada
Memorias: RAM, ROM, PROM. DRAM (EDO DRAM, SDRAM) y SRAM (L1,
L2, Write Through, Write back, real). DIP, SIMM, DIMM, tama¤os y precios.
1. TIPOS FISICOS DE MEMORIA
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MEMORIA RAM
----------Es llamada memoria de accceso aleatorio (Random Access Memory) debido a su
peculiar caracteristica de acceso instantameno a cualquier parte de ella, gracias a
un sistema de direcciones (no es acceso secuencial) que permite la lectura o
escritura.
Se dice que es volatil porque la informacion en ella almacenada se pierde al
retirarle la energia.
La memoria RAM es uno de los elementos m s cr¡ticos del computador. Cuando
Ud. quiere usar un archivo de datos o programa, los datos o instrucciones son
le¡dos desde el disco duro o disquete y colocados en la RAM, para que sean leidos
por el æP, permiti‚ndole manipularlos es decir: ingresar nuevos datos, modificar
los existente, hacer c lculos, busquedas, resumenes etc.
La memoria RAM la podemos comparar con una agenda de trabajo, en la que se
puede anotar una reuni¢n, ver el programa de actividades para un d¡a determinado
o anular una cita.
Adem s en esta agenda, al igual que en la memoria, los datos no est n mezclados
sino que conservan un cierto orden y cada dato ocupa una posici¢n bien
determinada. Si se desea saber la direcci¢n de un cliente o un proveedor, no se
iniciar la b£squeda desde la A hasta encontrarlo, sino que se localiza
directamente en la p gina correspondiente a la inicial del apellido.
En las memorias hay dos caracteristicas temporales importantes:
a. El tiempo de acceso: tiempo que tarda una escritura o lectura.
b. El tiempo de ciclo: tiempo que pasa desde que se inicia un acceso hasta
que se esta listo para el proximo.
El tiempo de ciclo suele ser ligeramente superior al tiempo de acceso, pero los dos
estan relacionados. Tradicionalmente se ha dado mayor importancia al tiempo de
acceso, pero la dinamica de las memorias cach‚, con sus accesos en rafagas, ha
dado mayor importancia al tiempo de ciclo. Esto ha propiciado la aparicion de
mejoras estructurales en las memorias, que pretenden mejorar el tiempo de lectura
o escritura de un bloque de datos y no de un dato individual, sin modificar la
estructura de almacenamiento de la memoria, consiguiendo asi un aumento de
prestaciones en yn caso particular y muy frecuente, sin elevar excesivamente el
precio.
En su mayor parte, lo que est en la memoria de la computadora es informaci¢n
temporal de trabajo.
La memoria de la computadora est organizada en unidades de bytes, compuesto
cada uno de ellos de 8 bits. El mismo patr¢n de bits puede ser visto como un
n£mero, una letra del alfabeto o una instrucci¢n particular de lenguaje de m quina,
seg£n se le interpreta. Los mismos bytes de memoria se usan para registrar
c¢digos de instrucciones de programa, datos num‚ricos y datos alfab‚ticos.
Las direcciones de la memoria est n numerados comenzando con cero. Los
mismos datos usados como datos de computadora tambi‚n pueden emplearse para
especificar direcciones de memoria.
Los datos o programas siempre ocupan un espacio contiguo en la RAM, siempre
asignandole el espacio por bloques.
El DOS puede manejar de forma plana solo hasta 640 KB, para manejar valores
mayores a 1 MB, requiere de ayuda de HIMEM.SYS y EMM386.EXE.
MEMORIA ROM (Read Only Memory)
-----------------------------Es una memoria de s¢lo lectura. Su contenido es absolutamente inalterable, desde
el instante en que el fabricante grabo las instrucciones en el Chip, por lo tanto la
escritura de este tipo de memorias ocurre una sola ves y queda grabado su
contenido aunque se le retire la energia.
Los PC vienen con una cantidad de ROM, donde se encuentras los programas de
BIOS (Basic Input Output System), que contienen los programas y los datos
necesarios para activar y hacer funcionar el computador y sus perif‚ricos.
La ventaja de tener los programas fundamentales del computador almacenados en
la ROM es que est n all¡ implementados en el interior del computador y no hay
necesidad de cargarlos en la memoria desde el disco de la misma forma en que se
carga el DOS.
Debido a que est n siempre residentes, los programas en ROM son muy a menudo
los cimientos sobre los que se construye el resto de los programas (incluyendo el
DOS).
La memoria ROM se puede explicar de la manera siguiente:
Es un libro impreso, sea diccionario, novela, etc. no se puede variar el contenido
del mismo, tan solo es posible leer, recoger la informaci¢n, nunca a¤adirsela o
modificar el texto.
MEMORIA ROM
----------Estas memorias, cuyo nombre procede de las iniciales de Read Only Memory son
solo de lectura. Dentro de un proceso de elaboraci¢n de datos de una
computadora, no es posible grabar ning£n dato en las memorias ROM.
Se trata de memorias no vol tiles su contenido se graba durante su construcci¢n y
no se puede cambiar. Son memorias perfectas para guardar microprogramas,
sistemas operativos, tablas de conversi¢n, generaci¢n de caracteres etc.
MEMORIA PROM
-----------Tal como indica su nombre, programable ROM estas memorias son programables
se entregan v¡rgenes al programador este mediante un dispositivo especial, las
programara grabando en ellas los datos que considera de inter‚s para su trabajo. El
proceso de programaci¢n es destructivo: una vez grabada, es como si fuese una
ROM normal.
Para conseguir que la informacion que se desea grabar sea inalterable, se utilizan
dos t‚cnicas: por destrucci¢n de fusible o por destrucci¢n de uni¢n.
Una vez programadas por el usuario, las PROM tienen las mismas caracter¡sticas
que aquellas que poseen las ROM.
MEMORIA EPROM Y RPROM
--------------------Estas memorias son similares a las PROM pero con la diferencia que se pueden
borrar y volver a grabar varias veces. Existen dos tipos de memorias seg£n el
proceso de borrado de las mismas:
MEMORIA EPROM
------------Se trata de una PROM, de la que se puede borrar (erasable PROM) la informacion
mediante rayos ultravioleta. Par esta operaci¢n, es necesario que el circuito
integrado disponga de una ventana de cuarzo transparente a los rayos ultravioleta.
El tiempo de exposici¢n a los rayos ha de ser corto, pero variable seg£n el
constructor. Una vez borrados los datos de la EPROM, se necesita disponer de un
grabador especial para introducir nuevos datos.
MEMORIA RPROM
------------Los datos contenidos en este circuito integrado se borran el‚ctricamente si se
aplican a las entradas unos valores de tensi¢n oportunos. Para el borrado de los
C.I RPROM, como para la programaci¢n, se necesita un programador especial.
Las memorias RPROM utilizan transistores tipos MNOS (metal nitruro ¢xido
silico) cuya principal caracter¡sticas consiste en que pueden borrarse y grabarse
el‚ctricamente.
MEMORIAS DE ACCESO SECUENCIAL
----------------------------Se caracterizan por su tiempo de acceso, dependiendo de la posici¢n a que se
quiera acceder respecto a un punto de referencia inicial: Registro de
desplazamiento Dispositivos acopladores por carga o CCD (Charge Soupled
Device)
MEMORIAS DE BURBUJAS MAGNETICAS
------------------------------Dentro de un campo de material magn‚tico las burbujas son peque¤os dominios
estables, con una polaridad inversa a la de un campo.
Estas memorias no son vol tiles y su acceso es secuencial. Constituyen un puente
de uni¢n entre las memorias centrales de acceso aleatorio (RAM o ROM) y los
dispositivos de alamacenamiento (disketes, discos duros, cintas magn‚ticas, CDROM, etc.) Como principal caracter¡sticas, podemos se¤alar su gran densidad de
integraci¢n (10 bits por pulgada cuadrada). No obstante el tiempo de acceso, al ser
una memoria secuencial es relativamente alto comparado con las memorias de
tipo de acceso directo.
2.- TIPOS DE MEMORIA RAM
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DRAM (Dynamic RAM)
------------------
Este es el tipo de RAM m s com£nmente usado. Internamente est compuesto por
condensadores de peque¤a capacidad, que almacena la informaci¢n mediante la
carga y la descarga equivalen a 1 y 0 l¢gicos, respectivamente.
Son de bajo costo, pero tiene el inconveniente de que pierden su carga, y por ende
la informaci¢n, demasiado r pido por lo que deben ser constantemente
"refrescados" con una nueva carga.
Una computadora puede perder un 7% de tiempo aproximadamente en "refrescar"
los DRAM.
La DRAM tiene sus contras: la transferencia de la informaci¢n que va desde la
memoria hasta el procesador "es m s lenta"; requiere de Cach‚ para mejorar su
desempe¤o; usa m s energ¡a, lo cual implica una menor duraci¢n de la bater¡a
para los usuarios de Laptops.
Esta estructurada como una matriz, de forma que el controlador de memoria, al
recibir una direccion, debe descomponerla en fila y columna. Cada acceso
requiere que el controlador obtenga la descomposicion en fila columna, direccione
la memoria, valide estas direcciones y espere que la matriz de celdas proporcione
el dato. Una vez finalizado el acceso, el controlar invalida la fila y columna y se
prepara para el siguiente acceso.
Existen varios tipos de DRAM, cada placa madre esta preparada para uno de
varios de estos tipos, asi que antes de comprar consulta el manual de la placa
madre.
1. FP DRAM (Fast Paged mode RAM):
Su estructura interna es identica a la DRAM convensional. Es usada en las PCs
386 y 486. Cuando el controlador de memoria recibe una direccion, debe
descomponerla en fila y columna, proporcionar estos datos a la matriz de celdas y
validarlos. La matriz de celdas proporcionara toda a fila y posteriormente se
seleccionara la columna deseada. Si el nuevo acceso se refiere a una posicion que
pertenece a la misma fila, no es necesario acceder a la matriz, ya que el
controlador, al mantener la fila validada, hace que la matriz de celdas mantenga su
salida. Para obtener el dato deseado, solo hay que direccionar el multiplexor de
columnas y seleccionar las que se desean. De esta forma se elimina el tiempo de
acceso a la matriz de memoria. Mediante este tipo de acceso no se mejoran los
tiempos a posiciones individuales y separadas de memoria, pues el controlador
debe proporcionar para cada una de ellas la fila (y esperar la respuesta de las
celdas) y la columna (y esperar la respuesta del multiplexor). Sin embargo, si se
realizan accesos a posiciones de memoria que se encuentran consecutivas se
reduce al tiempo de respuesta del multiplexor. Esta es precisamente la forma en
que nuestra memoria cach‚ accedera a la memoria principal. Para sistemas de 66
MHz se requiere tiempos de acceso menores a 60 msegundos.
2. EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)
En mas veloz de FP DRAM pues disminuye el numero de ciclos de reloj para
acceder al contenido de las cendas de memoria. Hay versiones de 60 y 50
nsegundos.
Es una nueva tecnolog¡a de memoria que acelera las transacciones de memoria
hasta en un diez por ciento sobre la memoria DRAM convencional.
EDO elimina el estado de espera entre la ejecuci¢n de comandos secuenciales de
lectura de la memoria permitiendo que el æP tenga acceso m s r pido a la
memoria.
Una transmisi¢n m s r pida de la informaci¢n desde la memoria hasta el æP.
Usa menos energ¡a, por lo que es m s atractiva para los usuarios de Laptops.
Reduce la necesidad de un cach‚ L2 en m quinas Pentium de bajo costo.
3. BEDO RDAM (Burst EDO DRAM)
4. SDRAM (Synchronous DRAM)
Gestiona todas las entradas y salidas de memoria sincronizadas con el reloj del
sistema, aumentando el rendimiento global. Ademas, es mas barata de fabricar
que la EDO DRAM, por lo que ha comenzado a desplazarla. Para una PC con bus
de 100 MHz debe buscar SDRAM que siga las especificaciones PC100
5. SDRAM II o DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)
Que aprovechan los flancos de subida y bajada de los ciclos de reloj, duplicando
la velocidad de acceso.
6. RDRAM (Direct Rambus DRAM)
7. SLDRAM
8. CDRAM
SRAM (Static RAM)
----------------Su dise¤o interno est hecho en base a transistores que almacenan la informaci¢n
cuando son polarizados en corte o saturaci¢n, correspondientes a los estados
l¢gicos 1 y 0, respectivamente permaneciendo en esta condici¢n hasta que se
cambie la informaci¢n.
No necesitan ser "refrescados", son muy veloces pero mucho m s costosos que los
DRAM.
1. SRAM Sincrona
Es la que esta gobernada por una se¤al de reloj, de forma que todas las
operaciones suceden (se inician y acaban) desde la misma referencia. Esta
caracteristica no aporta mejores prestaciones, pero si simplifica enormemente el
dise¤o de sistemas de alta prestaciones, ya que una unica se¤al (el reloj del
sistema) gobierna todos los dispositivos involucrados. La ventaja de estas
memorias viene proporcionada por lo que se podria llamar su funcionamiento
automatico, guiado por la se¤al de reloj, por lo que no es necesario ocuparse de
generar las se¤ales de control, aunque la mayoria de memorias disponen de ellas.
2. SRAM Burst:
Las memorias de rafagas (burst) incluyen un circuito contador que permite que
la memoria genere en la propia memoria la direccion a la que debe acceder,
consiguiendo de esta forma accesos en rafagas. El funcionamiento es el siguiente:
el æP proporciona una direccion de memoria, la que debe propagarse por el bus
hasta la memoria, decodificarse y acceder a la posicion correspondiente. Si se ha
indicado que se trata de un ciclo de lectura de refaga, la memoria, una vez que se
ha obtenido el primer dato, incrementa la direccion y vuelve a acceder. De esta
forma se evita el tiempo de propagacion de las se¤ales por el bus y el tiempo de
decodificacion de la direccion. La longitud de acceso, es decir el numero de
palabras leidas o escritas en una rafaga, viene limitado por el tama¤o del contador
interno de la memoria.
3. SRAM Pipeline:
Gracias a las dos tecnicas anteriores se consigue que el rellenado de una fila de
cach‚ o acceso a posiciones consecutivas, se realice de forma rapida. Para
mantener esta velocidad cuando se cambia de secuencia, las memorias pipeline
incluyen un buffer para almacenar la direccion a la que se esta accediendo y el
dato proporcionado por la memoria. De esta forma, se puede enviar la nueva
direccion antes de terminar la lectura, consiguiendo un solapamiento, pues el æP
no tiene que esperar la terminacion de un accedo para proporcionar la nueva
direccion.
3.- FORMATOS FISICOS DE LAS MEMORIAS
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MEMORIA DIP
----------La memoria DIP es un circuito integrado (chips), un dispositivo electr¢nico
compuesto por un conjunto de componentes conectados permanentemente entre si
e incluidos en una placa de silicio de menos 1 mm, formando un conjunto en
miniatura capaz de desarrollar las mismas funciones que un circuito formados por
elementos discretos.
En un circuito integrado, los componentes activos, diodos, transistores etc., y los
componentes pasivos, resistencias, condensadores, etc. est n integrados dentro de
un mismo bloque llamado substrato.
CHIPS
----Son circuitos integrados cuyas patitas o pines se hayan en ambos lados de la
c psula, formando dos l¡neas o hileras de pines (DIP).
Los Chips de memoria se fabrican con capacidades de 64Kb, 256Kb y 1Mb.
- El n£mero de chips de memoria que existe f¡sicamente dentro del computador
determina la cantidad de memoria que pueden ocupar los programas y los datos.
Aunque estos puedan variar de un computador a otro.
- Para el computador, los chips de memoria no son m s que unos pocos miles de
posiciones de almacenamiento (1 Byte); cada una de las cuales tiene su propia
direcci¢n asociada.
Modulos de memoria
==================
La DRAM en general no se compra en CHIPS, sino en modulos de memoria
empaquetados en dos formatos basicos SIMM y DIMM que contienen 8, 16, 32,
64 o 128 MB cada uno. Estos modulos se introducen es ranuras (slots) en la placa
madre.
SIMM (Single in line Memory Module)
----------------------------------Usualmente son ocho o nueve (SIMM con paridad) chips DIP fabricados con
tecnolog¡a DRAM y soldados en una tarjeta peque¤a de circuito impreso.
El borde inferior de esta tarjeta posee contactos de oro que encajan perfectamente
en z¢calos (slots) especialmente dise¤ados para ‚ste tipo de m¢dulos ubicados
sobre la placa madre.
Los m¢dulos SIMM de memoria RAM, se fabrican con capacidades de 4, 8, 16 y
32 MB.
En las primeras PC se usaban SIMM de 32 pines que proporcionaban cada uno 8
bits, por lo que debian ser usadas en pares en las PC de 16 bits (hasta 386SX) y en
grupos de a cuatro en las de 32 bits (4 x 8 = 32 bits), pero con las 486
desaparecieron, en favor de los modulos de 72 pines que proporcionan 16 bits por
lo que hay que ponerlos en pares (2 x 16 = 32 bits).
Ahora esta ocurriendo lo mismo, con los Pentium donde estan desapareciendo los
SIMM de 72 pines en favor de los DIMM de 168 pines y 32 bits.
DIMM (Dual In line Memory Module)
--------------------------------Equivalen a dos SIMM, tienen 168 pines y en las Pentium se pueden usar de solos
porque tienen 32 bits.
Es posible combinar modulos SIMM y DIMM en una placa madre, pero bajo
ciertas condiciones especiales. Un par de SIMM de 72 pines iguales (es decir de 8,
16 o 32 MB) deberan estar instalados en la ranuda (slot) 2 y un DIMM de la
misma velocidad en su ranura respectiva, ademas el voltaje debera ser de 3.3 V y
no 5 V como se usa normalmente en los SIMM.
SO DIMM (Small Outline DIMM)
---------------------------Son DIMM de 72 pines (en lugar de 168) que ocupan menos espacio y suelen
usarse en portatiles.
Los modulos de memoria son completamente independientes de los tipos. Es
decir, existen modulos SIMM de memoria EDO RAM y SDRAM, asi como
modulos DIMM de memoria EDO RAM y SDRAM. Lo mas habitual es que los
modulos SIMM sean EDO DRAM, mientras que los DIMM suelen ser SDRAM.
Lo mas recomendable es que invierta en modulos DIMM de memoria SDRAM,
pues seran los mas usados proximamente. Casi todas las computadoras Pentium II
tiene ranuras (slots) DIMM y soportan SDRAM. Ademas, muchas computadoras
Pentium MMX poseen ranudas (slots) mixtos, por ejemplo 4 x SIMM y 2 x
DIMM.
---oOo---
DIMM
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Módulos de memoria en formato DIMM (dos módulos SDRAM PC133).
DIMM son las siglas de «Dual In-line Memory Module» y se traduce como
Módulo de Memoria en línea doble. Son módulos de memoria RAM utilizados
en ordenadores personales. Se trata de un pequeño circuito impreso que contiene
chips de memoria y se conecta directamente en ranuras de la placa base. Los
módulos DIMM son reconocibles externamente por poseer sus contactos (o pines)
separados en ambos lados, a diferencia de los SIMM que poseen los contactos de
modo que los de un lado están unidos con los del otro.
Las memorias DIMM comenzaron a reemplazar a las SIMM como el tipo
predominante de memoria cuando los microprocesadores Intel Pentium
dominaron el mercado.
Un DIMM puede comunicarse con el Cache a 64 bits (y algunos a 72 bits) en vez
de que se salga por la calle de los 32 bits de los SIMM.
Funciona a una frecuencia de 123 MHz cada una...
El hecho de que los módulos en formato DIMM (Módulo de Memoria en Línea
Doble),sean memorias de 64 bits, explica por qué no necesitan emparejamiento.
Los módulos DIMM poseen chips de memoria en ambos lados de la placa de
circuito impresa, y poseen a la vez, 84 contactos de cada lado, lo cual suma un
total de 168 contactos. Además de ser de mayores dimensiones que los módulos
SIMM (130x25mm), estos módulos poseen una segunda muesca que evita
confusiones.
Cabe observar que los conectores DIMM han sido mejorados para facilitar su
inserción, gracias a las palancas ubicadas a ambos lados de cada conector.
También existen módulos más pequeños, conocidos como SO DIMM (DIMM de
contorno pequeño), diseñados para ordenadores portátiles. Los módulos SO
DIMM sólo cuentan con 144 contactos en el caso de las memorias de 64 bits, y
con 77 contactos en el caso de las memorias de 32 bits.
Índice




1 Especificación de los módulos DIMMs
2 Corrección de errores
3 Organización
4 "Filas" de los módulos
Especificación de los módulos DIMMs




DIMMs de 168 contactos, [DIMM] SDR SDRAM. (Tipos: PC66, PC100,
PC133, ...)
DIMMs de 184 contactos, DDR SDRAM. (Tipos: PC1.600 (DDR-200),
PC2.100 (DDR-266), PC2.400 (DDR-300), PC2.700 (DDR-333), PC3.000
(DDR-366), PC3.200 (DDR-400), PC3.500 (DDR-433), PC3.700 (DDR466), PC4.000 (DDR-500), PC4.300 (DDR-533), PC4.800 (DDR-600) =>
Hasta 1 GiB/módulo)
DIMMs de 240 contactos, DDR2 SDRAM. (Tipos: PC2-3.200 (DDR2400), PC2-3.700 (DDR2-466), PC2-4.200 (DDR2-533), PC2-4.800
(DDR2-600), PC2-5.300 (DDR2-667), PC2-6.400 (DDR2-800), PC28.000 (DDR2-1.000), PC2-8.500 (DDR2-1.066), PC2-9.200 (DDR21.150) y PC2-9.600 (DDR2-1.200) => Hasta 4 GiB por módulo)
DIMMs de 240 contactos, DDR3 SDRAM. (Tipos: PC3-6.400 (DDR3800), PC3-8.500 (DDR3-1.066), PC3-10.600 (DDR3-1.333), PC3-13.300
(DDR3-1.666), PC3-14.400 (DDR3-1.800), PC3-16.000 (DDR3-2.000)
=> Hasta 4 GiB por módulo)
Corrección de errores
Los ECC DIMMs son aquellos que tienen un mayor número de bits de datos, los
cuales son usados por los controladores del sistema de memoria para detectar y
corregir errores. Hay multitud de esquemas ECC, pero quizás el más común es el
Corrector de errores individuales-Detector de errores dobles (SECDED) que usa
un byte extra por cada palabra de 64 bits. Los módulos ECC están formados
normalmente por múltiplos de 9 chips y no de 8 como es lo más usual.
Organización
La mayoría de módulos [DIMM] se construyen usando "x4" (de 4) los chips de
memoria o "x8" (de 8) con 9 chips de memoria de chips por lado. "X4" o "x8" se
refieren a la anchura de datos de los chips DRAM en bits.
En el caso de los [DIMM] "x4", la anchura de datos por lado es de 36 bits, por lo
tanto, el controlador de memoria (que requiere 72 bits) para hacer frente a las
necesidades de ambas partes al mismo tiempo para leer y escribir los datos que
necesita. En este caso, el módulo de doble cara es único en la clasificación.
Para "DIMM x8",cada lado es de 72 bits de ancho, por lo que el controlador de
memoria sólo se refiere a un lado a la vez (el módulo de dos caras es de doble
clasificación).
"Filas" de los módulos
Las filas no pueden ser accedidas simultáneamente como si compartieran el
mismo camino de datos. El diseño físico de los chips [DRAM] en un módulo
DIMM no hace referencia necesariamente al número de filas.
Las DIMMs frecuentemente son referenciadas como de "un lado" o de "doble
lado", refiriéndose a la ubicación de los chips de memoria que están en uno o en
ambos lados del chip DIMM. Estos términos pueden causar confusión ya que no
se refieren necesariamente a cómo están organizados lógicamente los chips
DIMM o a qué formas hay de acceder a ellos.
Por ejemplo, en un chip DIMM de una fila que tiene 64 bits de datos de
entrada/salida, sólo hay conjunto de chips [DRAM] que se activan para leer o
recibir una escritura en los 64 bits. En la mayoría de sistemas electrónicos, los
controladores de memoria son diseñados para acceder a todo el bus de datos del
módulo de memoria.
En un chip DIMM de 64 bits hecho con dos filas, debe haber dos conjuntos de
chips DRAM que puedan ser accedidos en tiempos diferentes. Sólo una de las
filas puede ser accedida en un instante de tiempo desde que los bits de datos de los
DRAM son enlazados para dos cargas en el DIMM.
Las filas son accedidas mediante señales "chip select" (CS). Por lo tanto para un
módulo de dos filas, las dos [DRAM] con los bits de datos entrelazados pueden
ser accedidas mediante una señal CS por [DRAM].
Dual in-line package
(Redirigido desde «DIP»)
Paquete de línea doble
Dual in-line package o DIP es una forma de encapsulamiento común en la
construcción de circuitos integrados. La forma consiste en un bloque con dos
hileras paralelas de pines, la cantidad de éstos depende de cada circuito. Por la
posición y espaciamiento entre pines, los circuitos DIP son especialmente
prácticos para construir prototipos en tablillas de protoboard. Concretamente, la
separación estándar entre dos pines o terminales es de 0,1“ (2,54 mm).
La nomenclatura normal para designarlos es «DIPn», donde n es el número de
pines totales del circuito. Por ejemplo, un circuito integrado DIP16 tiene 16 pines,
con 8 en cada fila.
Dada la actual tendencia a tener circuitos con un nivel cada vez más alto de
integración, los paquetes DIP están siendo sustituidos en la industria por
encapsulados de Tecnología de montaje superficial, (conocida por las siglas SMT,
surface-mount technology o SMD, surface-mount device). Estos últimos tienen un
diseño mucho más adecuado para circuitos con un alto número de patas, mientras
que los DIP raras veces se encuentran en presentaciones de más de 40 patas.
Orientación y numeración de los pines
Para representar los pines en los esquemas de circuitos, se emplean números que
identifican a cada uno. Para numerar los pines de un DIP hay que fijarse en el
pequeño agujero que incluye en un extremo. El pin que está a su lado será el
número 1. A partir de ahí, se numeran consecutivamente los pines de su fila. Al
terminar pasamos a la otra fila, y, en sentido inverso, la recorremos hasta llegar al
final. Es decir, se numeran de forma circular.
En la figura de la derecha aparece como se numeraría un circuito DIL16.
Para trabajos en placas de circuito, se suelen usar unos soportes de plástico para
este tipo de empaquetados, denominados zócalos, que contienen una serie de
orificios colocados de la misma forma que el circuito. Así no soldamos
directamente el circuito a la placa (que podría deteriorarse con el calor), sino el
zócalo. Una vez está fijado, se coloca encima el circuito integrado. Si tenemos que
sacar y poner continuamente el integrado, una forma práctica para que no se
deterioren las patitas del encapsulado es poner dos zócalos, uno fijo en la placa y
otro fijo en el integrado.
Existen los zócalos de cero fuerza cuando se necesita instalar y remover muchas
veces el circuito integrado. En este caso con una palanca se libera o sujeta el
circuito integrado.
Los pines se extienden a lo largo del encapsulado (en ambos lados) y tiene como
todos los demas una muesca que indica el pin número 1. Este encapsulado básico
fue el más utilizado hace unos años y sigue siendo el preferido a la hora de armar
plaquetas por partes de los amantes de la electronica casera debido a su tamaño lo
que facilita la soldadura. Hoy en día, el uso de este encapsulado (industrialmente)
se limita a UVEPROM y sensores.
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