TECNOLOGÍA DE PROCESOS DE FABRICACIÓN DE

Semana
de la ciencia
TECNOLOGÍA DE PROCESOS DE FABRICACIÓN DE NANOESTRUCTURAS
EN SEMICONDUCTORES III - V por MBE
Esta línea de investigación se inició en el año 1985 en el IMM (sede del CNM en Madrid) para dar soporte a una importante iniciativa industrial a nivel del estado
español en el campo de la optoelectrónica y microondas para tecnologías de las comunicaciones.
Entre los logros alcanzados pueden citarse el diseño de sistemas
MBE, el desarrollo de una nueva técnica de crecimiento a baja
temperatura (ALMBE), el invento de las ampliamente utilizadas
células dotadas de válvula y cracker como fuentes sólidas de
fósforo y antimonio y más recientemente la fabricación de diodos
láser conteniendo en su zona activa nanoestructuras semiconductoras
auto-ensambladas (hilos cuánticos InAs/InP , anillos y puntos
cuánticos InAs/GaAs).
M A D R I D C O N L A C R E AT I V I D A D
Y L A I N N O VA C I Ó N
Aplicaciones actuales de los semiconductores III-V
(GaAs, InP, InAs, GaP, GaN, GaSb, AlGaAs,
AlInAs .... GaInAsP.....GaInN, AlInN)
Vista al microscopio de un chip de diodo láser rojo
(10 mW) comparado con el ojo de una aguja.
Actualmente se fabrican cientos de millones de estos
láser anualmente para lectores de CD con equipos
MBE y la tecnología patentada por IMM
Patentes Involucradas
Diodos Laser
Patente
Española
Reactor de
epitaxia de haces
moleculares
(MBE) del IMM
Patente
Inglesa
Grabado y lectura
de Cds
Patente
USA
fundación
Leds
Patente USA
Fabricación
Reactor de MBE de
producción industrial
automatizada
para epitaxia de obleas de
GaAs e InP con la
tecnología patentada por
el IMM
Empresa licenciataria:
RIBER
Células solares de alta
eficiencia
Comunicaciones por fibra
óptica e Internet
Células solares IB mediante integración
de puntos cuánticos de InAs/GaAs
Investigador: Fernandeo Briones Fernández-Pola - Instituto de Microelectrónica de Madrid
madr
i+d
para el conocimiento
ww w.madrid.org
Comunicaciones por
micro ondas
Células tandem multiunión
para concentración