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1
Curso de Diseño de ampliadores
lineales de RF. Semanas 4 y
restantes.
Dr. A. J. Zozaya
I.
M INI - PROYECTOS
DE LA
4TA .
Y RESTANTES SEMANAS
1. Calcule los errores máximos positivos y negativos en la ganancia, en dB, al diseñar
imponiendo |s12 | = 0 para el amplificador BFP640, polarizado a VCE = 2,0 V e
IC = 20 mA, en el rango de frecuencias de 100 MHz a 3 GHz, con pasos de 0,1
GHz. Fecha de entrega: 15 de junio de 2015.
2. Calcule los valores máximos de desaptación (ganancia recuperable) a la entrada
y a la salida del amplificador BFP405 polarizado a VCE = 2 V e IC = 2mA, en
el rango de frecuencia de 1 a 3 GHz. Luego replique los resultados del ejemplo
ilustrativo 1.4.5, página 15 de [1]. Fecha de entrega: 22 de junio de 2015.
3. Estudie la estabilidad del amplificador BFP640 polarizado a VCE = 2 V e IC =
20mA, en el rango de frecuencia de 0.1 a 10 GHz. y estabilícelo de acuerdo a los
lineamientos del apartado 1.7 de [1]. Fecha de entrega: 29 de junio de 2015.
4. Estudie la estabilidad del amplificador NEC6500379A GaAs power MESFET polarizado a VDS = 3 V e ID = 800mA, en el rango de frecuencia de 1 a 3 GHz.
y estabilícelo de acuerdo a los lineamientos del apartado 2.4.4 de [1]. Fecha de
entrega: 06 de julio de 2015.
5. Diseñe las redes de adaptación para máxima ganancia de pequeña señal a 1.9
GHz, usando el amplificador BFP640 polarizado a VCE = 2 V e IC = 20mA, de
acuerdo a los lineamientos del apartado 2.2.1 de [1]. Fecha de entrega: 13 de julio
de 2015.
II.
F ECHA
DE ENTREGA DEL PROYECTO FINAL
El proyecto final debe ser entregado el día viernes 31 de julio de 2015.
R EFERENCIAS
[1] Rowan Gilmore and Les Besser. Practical RF Circuit Design for Modern Wireless Systems. Volume II. Active
Circuits and Systems. ARTECH HOUSE, INC., 2003.
2
[2] Rowan Gilmore and Les Besser. Practical RF Circuit Design for Modern Wireless Systems. Volume I. Passive
Circuits and Systems. ARTECH HOUSE, INC., 2003.
[3] Steve Marsh. Practical MMIC Design. ARTECH HOUSE, INC., 2006.
[4] Reinhold Ludwig and Pavel Bretchko. RF Circuit Design. Theory and Applications. Prentice Hall, 2000.
[5] S. C. Cripps. A theory for the prediction of gaas fet load-pull power contours. In Microwave Symposium
Digest, IEEE MTT-S International, 1983.
[6] David Pozar. Microwave engineering. John Wiley & Sons, Inc., 2012.
[7] Agilent Technologies. Agilent EEsof EDA. Advanced Design System. Circuit Design Coockbook 2.0. Agilent
Technologies, Inc., 2012.
[8] HEWLETT PACKARD. S-parameter design. application note 154. Technical report, 1990.