FABRICACIONDIODOS

SIP-31
INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL
SECRETARIA DE INVESTIGACIÓN Y POSGRADO
DIRECCIÓN DE POSGRADO
FORMATO GUÍA PARA REGISTRO DE CURSOS DE PROPÓSITO ESPECÍFICO
Hoja 1 de 3
I.
DATOS DEL CURSO DE PROPÓSITO ESPECÍFICO
1.1
NOMBRE DEL CURSO
O MÒDULO:
1.2
CLAVE:
1.3
NÚMERO DE HORAS:
1.4
VALOR CURRICULAR:
1.5
SESIÓN DEL COLEGIO DE PROFESORES EN QUE
SE ACORDÓ LA IMPLANTACIÓN DEL CURSO:
FECHA:
d
m
a
FABRICACIÓN DE DIODOS
(Para ser llenado por la SIP)
40
TEORÍA
PRACTICA
(Para ser llenado por la SIP)
SESIÓN No.
1.6 FECHA DE REGISTRO EN SIP: (Para
1.7
FECHA DE INICIO:
1.8
FECHA DE TERMINACIÒN:
1.9
DIRIGIDO A:
General
Público en
Conocimientos Básicos de Electrónica del Estado Solido
1.10 REQUISITOS DE
INSCRIPCIÓN:
1.11 RECONOCIMIENTO ACADÉMICO A OTORGAR:
ANEXAR TRIPTICO O MATERIAL UTILIZADO PARA DIVULGACIÓN
II.
DATOS DE LOS EXPOSITORES
T-P
PROFESOR:
Norberto Hernández Como
PROCEDENCIA:
Centro de Nanociencias y Micro y Nanotecnologías
PROFESOR:
Miguel Angel Alemán Arce
PROCEDENCIA:
Centro de Nanociencias y Micro y Nanotecnologías.
ANEXAR CURRICULUM VITAE DE LOS EXPOSITORES
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III.
DESCRIPCIÓN DEL CONTENIDO DEL PROGRAMA DE LA ASIGNATURA
III.1
OBJETIVO GENERAL:
El participante aprenderá los aspectos teóricos y prácticos de la fabricación de un diodo Shottky
OBJETIVOS ESPECIFICOS: 1. Conocer las instalaciones de las salas limpias, los métodos de depósito
y de caracterización de materiales aplicados en conjunto a la fabricación de dispositivos
electrónicos.
2. Realizar el proceso de fabricación de un diodo Shottky, su caracterización eléctrica y el análisis de
resultados.
III.2 DESCRIPCIÓN DEL CONTENIDO
TEMAS Y SUBTEMAS
TIEMPO
T
P
MODULO I.- INTRODUCCIÓN A LA FABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
1.1 Descripción del uso, seguridad y funcionamiento de salas limpias.
1.2 Descripción de procesos y equipo utilizado para la fabricación de dispositivos electrónicos.
1
1
1
1
1.3 Limpieza y preparación de muestras.
2
3
MODULO II.- PROPIEDADES ÓPTICAS, ELÉCTRICAS Y ESTRUCTURALES DE LOS
MATERIALES ORIENTADAS A LA FABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS.
2.1 Propiedades ópticas de los materiales.
1
2.2 Propiedades estructurales de los materiales.
1
2.3 Propiedades eléctricas de los materiales.
1
MODULO III.- LA UNIÓN METAL-SEMICONDUCTOR.
3.1 Diagrama de bandas.
1
3.2 Contactos óhmicos
1
2
3.3 Contactos rectificantes: efecto Schottky.
1
2
4.1. Depósito por pulverización catódica (Sputtering).
2
3
4.2 Métodos de depósito de materiales orgánicos: spinner, micro-goteo e impresión.
2
3
MODULO IV.- MÉTODOS DE DEPÓSITO DE MATERIALES.
MODULO V.- FABRICACIÓN DE DIODOS DE BARRERA SCHOTTKY.
5.1 Descripción de la estructura de un Diodo Shottky.
1
5.2 Procesos de fabricación.
1
5.3 Caracterización eléctrica de diodo Shottky..
5.4 Aplicaciones de los diodos Schottky.
1
3
2
2
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III.3 BIBLIOGRAFIA UTILIZADA EN LA ASIGNATURA
1. D.K. Schroder, “ Semicondutor materlial and device characterization” Second Edition, John Wiley &
Sons, Inc. 1998.
2. S. M. Sze, “Physics of semiconductor devices”, Second Ediition, John Wiley & Sons, Inc., 1981.
3. S. Franssila, “ Introduction to Micro Fabrication” Second Edition, Wiley. 2010
4. Ramstorp, M. Introduction to Contamination Control and Cleanroom Technology. Wiley-VCH, 2000
5. Umesh K. Mishra, “ Semiconductor Devices Physics and Design”, Springer, 2008.
6. Baharat Bhushan, “Springer Hambook of Nano-technology”, Springer, Third Edition, 2010
III.4 PROCEDIMIENTOS O INSTRUMENTOS DE EVALUACIÓN A UTILIZAR
Evaluación escrita Final.
40%
Evaluación práctica
40%
Evaluación continua
20%
100%
Asistencia mínima 90% como requisito de acreditación.